上海集成电路材料研究院有限公司吴祥获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路材料研究院有限公司申请的专利一种去除湿法蚀刻液中蚀刻产物的过滤装置及蚀刻液循环系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116651080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310626774.4，技术领域涉及：B01D36/04；该发明授权一种去除湿法蚀刻液中蚀刻产物的过滤装置及蚀刻液循环系统是由吴祥设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除湿法蚀刻液中蚀刻产物的过滤装置及蚀刻液循环系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种去除湿法蚀刻液中蚀刻产物的过滤装置，包括壳体、进液口、出液口和过滤结构，进液口和出液口位于所述壳体上，所述过滤结构位于所述壳体内部，所述过滤结构包括若干配置有与水平呈非零角度的滤面的滤面部件；所述滤面包括含有直径为0.1mm～3mm促沉淀剂的促沉淀剂结构，待滤蚀刻液通过所述促沉淀剂结构时，蚀刻产物与所述促沉淀剂形成吸附或沉淀于所述促沉淀剂上；所述过滤结构被配置为待滤蚀刻液经过所述滤面的进程相同，所述进程包括时间、距离、过滤效果和或所述滤面的结构，具有有益技术效果：采取新型过滤结构增加沉淀接触进程，采取多进程同步过滤以保证先后待滤蚀刻液最大程度保持相同过滤进程，降低蚀刻液再循环系统设计难度。
本发明授权一种去除湿法蚀刻液中蚀刻产物的过滤装置及蚀刻液循环系统在权利要求书中公布了：1.一种去除湿法蚀刻液中蚀刻产物的过滤装置，包括壳体、进液口、出液口和过滤结构，所述进液口和所述出液口位于所述壳体上，所述过滤结构位于所述壳体内部，其特征在于， 所述过滤结构包括若干配置有与水平呈非零角度的滤面的滤面部件； 所述滤面包括含有直径为0.1mm~3mm促沉淀剂的促沉淀剂结构，待滤蚀刻液通过所述促沉淀剂结构时，蚀刻产物与所述促沉淀剂形成吸附或沉淀于所述促沉淀剂上； 所述过滤结构被配置为待滤蚀刻液经过所述滤面的进程相同，所述进程包括时间、距离、过滤效果和或所述滤面的结构； 所述滤面包括多层促沉淀剂结构，各层中所述促沉淀剂直径从上向下目数依次增大。
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