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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667152B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210144105.9，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法是由朱振;刘飞;张新设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域。所述器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Alx1Ga1‑x1y1In1‑y1P下波导层、Gax2In1‑x2P第一量子阱、Alx3Ga1‑x3y2In1‑y2P垒层、Gax4In1‑x4P第二量子阱、Alx5Ga1‑x5y3In1‑y3P上波导层、Al0.5In0.5P上限制层‑1、Al0.5In0.5P上限制层‑2、Gax6In1‑x6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P上限制层‑3、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层。通过波导层低掺杂Zn降低吸收损耗，限制层Mg、Zn共掺减少Mg掺杂记忆效应，实现限制层高掺减少载流子溢出，减少废热产生，提高高温工作可靠性。

本发明授权一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种镁锌共掺的AlGaInP红光半导体激光器件，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、Alx5Ga1-x5y3In1-y3P上波导层、Al0.5In0.5P上限制层-1、Al0.5In0.5P上限制层-2、Gax6In1-x6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P上限制层-3、上过渡层和帽层； 其中，0.45≤x5≤0.95，0.4≤y3≤0.6；0.5≤x6≤0.7； 其中，Alx5Ga1-x5y3In1-y3P上波导层采用Zn掺杂，掺杂浓度2E17-6E17个原子cm3；Al0.5In0.5P上限制层-1镁锌共掺，掺杂浓度为1E18-2E18个原子cm3；Al0.5In0.5P上限制层-2及Al0.5In0.5P上限制层-3采用Mg掺杂，掺杂浓度均为1E18-2E18个原子cm3。

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