长鑫存储技术有限公司吴立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利缺陷分类方法及缺陷分类设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116681638B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210157988.7，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权缺陷分类方法及缺陷分类设备是由吴立伟设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷分类方法及缺陷分类设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种缺陷分类方法及缺陷分类装置，所述缺陷分类方法包括：获得缺陷区域的原始图像，并获得缺陷在所述原始图像上的初始位置信息；根据所述初始位置信息，获得所述缺陷区域的放大采集区；调整所述放大采集区，使所述缺陷置于所述放大采集区的预设区域，并获得所述缺陷的准确位置信息；以所述准确位置信息为参考，获得缺陷区域的精细图像；以所述精细图像为参考，获得所述缺陷的属性信息；根据所述属性信息对所述缺陷进行归类。本公开实施例提供的缺陷分类方法能够基于放大采集区修正缺陷的位置，在以此为基础获得的精细图像中缺陷的偏差减小，甚至无偏差，使提取的缺陷的属性信息准确度高，进而提高了分类的准确度。
本发明授权缺陷分类方法及缺陷分类设备在权利要求书中公布了：1.一种缺陷分类方法，其特征在于，包括： 获得缺陷区域的原始图像，并获得缺陷在所述原始图像上的初始位置信息； 根据所述初始位置信息，获得所述缺陷区域的放大采集区； 调整所述放大采集区，使所述缺陷置于所述放大采集区的预设区域，并获得所述缺陷的准确位置信息； 以所述准确位置信息为参考，获得缺陷区域的精细图像； 以所述精细图像为参考，获得所述缺陷的属性信息； 根据所述属性信息对所述缺陷进行归类； 其中，所述获得缺陷区域的原始图像，包括： 对半导体结构进行扫描分析，获得所述半导体结构表面缺陷的基础信息，所述基础信息包括所述缺陷的坐标信息； 根据所述坐标信息确定所述缺陷在所述半导体结构表面的位置，并以所述坐标信息为中心扩大预设距离所形成的区域作为所述缺陷区域进行拍摄，以获得所述原始图像。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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