南通大学杨晓华获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116721793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310423014.3，技术领域涉及：G21K1/00；该发明授权一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法是由杨晓华;邵旭萍;王得富;包正斌设计研发完成，并于2023-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法，包括以下步骤：步骤一：分子态的制备，将分子制备在IBr分子超精细能级X1Σ态J＝0，G＝2.5，F＝4|4,–4态上；步骤二：磁阱的制备，利用一组反亥姆霍次线圈，通上大小相等，方向相反的电流，则在两个线圈中轴线的中点位置处，磁场等于零，而在中点位置两侧，沿着中轴线方向产生近似线性变化的磁场，此时，沿着中轴线方向上磁场分布类似一个磁阱；步骤三：阱深的调节，在两线圈侧面放置两个电极，通上直流电，通过调节电场强度改变阱深。本发明方法在分子蒸发冷却的过程中，利用电磁结合方式，通过调节电场强度，快速改变磁阱的深度，以达到蒸发冷却的目的，同时获得浓度较高的冷分子。
本发明授权一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：分子态的制备，首先将分子制备在IBr分子超精细能级X1Σ态J＝0，G＝2.5，F＝4|4,–4态上，其中J表示分子除核自旋外的总角动量，G表示除核自旋外的总角动量首先和IBr分子中的核自旋较大的I原子核耦合后的中间角动量，F表示中间角动量G再和Br原子核耦合后的总角动量； 步骤二：磁阱的制备，利用一组反亥姆霍次线圈，通上大小相等，方向相反的电流，则在两个线圈1中轴线的中点位置处，磁场等于零，而在中点位置两侧，沿着中轴线方向产生线性变化的磁场，此时，沿着中轴线方向的磁场分布一个磁阱； 步骤三：阱深的调节，在两线圈1侧面放置两个电极2，通上直流电，通过调节电场强度改变阱深。
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