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龙图腾网获悉应用材料以色列公司申请的专利半导体样品制造的掩模检查获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116754580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257817.6，技术领域涉及：G01N21/956；该发明授权半导体样品制造的掩模检查是由V·奥韦奇金;A·什卡利姆;A·切列什尼亚;Y·奥尔;S·本雅科夫;R·麦德蒙设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体样品制造的掩模检查在说明书摘要公布了：提供了一种检查可用于制造半导体样品的掩模的系统和方法。所述方法包括：获得包括表示候选缺陷的缺陷像素的原始缺陷图像以及候选缺陷的位置，以及在多个聚焦水平处获取的候选缺陷的缺陷图像库和参考图像库；在多个聚焦水平中确定最佳聚焦，并且在最佳聚焦处生成合成缺陷图像；将原始缺陷图像与合成缺陷图像对准，以识别合成缺陷图像中与缺陷像素相对应的目标像素的区域；并且针对每个聚焦水平，提供指示缺陷图像组与至少一个参考图像之间的位移的测量，从而产生对应于所述多个聚焦水平的多个测量结果。

本发明授权半导体样品制造的掩模检查在权利要求书中公布了：1.一种检查可用于制造半导体样品的掩模的计算机化系统，所述系统包括： 检查工具，所述检查工具被配置成： 提供从所述掩模的初步检查产生的包括表示候选缺陷的一个或多个缺陷像素的原始缺陷图像，以及所述候选缺陷在所述掩模上的位置；并且 基于所述位置，在整个聚焦工艺窗口中的多个聚焦水平处获取所述候选缺陷的缺陷图像库和参考图像库，所述缺陷图像库包括在每个聚焦水平获取的缺陷图像组，并且所述参考图像库包括在每个聚焦水平获取的参考图像组；以及 处理和存储器电路系统PMC，所述PMC可操作地连接至所述检查工具并且被配置成： 在所述多个聚焦水平中确定最佳聚焦，并且基于所述最佳聚焦处的所述缺陷图像组来生成合成缺陷图像； 将所述原始缺陷图像与所述合成缺陷图像对准，以识别所述合成缺陷图像中与所述一个或多个缺陷像素相对应的一个或多个目标像素的区域；并且 针对每个聚焦水平，基于所识别的区域来提供指示在所述聚焦水平处所述缺陷图像组与从所述参考图像组导出的至少一个参考图像之间的位移的测量，从而产生对应于所述多个聚焦水平的多个测量结果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料以色列公司，其通讯地址为：以色列瑞哈佛特市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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