华灿光电(苏州)有限公司陈张笑雄获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华灿光电(苏州)有限公司申请的专利MOCVD设备的腔体清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117051385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310806574.7，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权MOCVD设备的腔体清洁方法是由陈张笑雄;龚逸品;王群;朱宸綦;王江波设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOCVD设备的腔体清洁方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种MOCVD设备的腔体清洁方法，属于半导体制作领域。所述方法包括：在外延生长结束后，采用Cl2循环刻蚀石墨盘的表面的反应生成物；在H2气氛富Mg环境下，在反应腔内沉积AlxGayIn1‑x‑yN，以在所述反应腔的内壁以及所述石墨盘的表面形成掺杂Mg的AlxGayIn1‑x‑yN微结构，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。本公开通过在对腔体内部进行Cl2刻蚀后，在腔体内部生长高掺Mg的AlxGayIn1‑x‑yN结构，重新构建腔体内部的Mg环境，提升在腔内进行外延生长时，外延层中Mg的有效掺杂，从而提升量子阱发光层的量子效率。
本发明授权MOCVD设备的腔体清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD设备的腔体清洁方法，其特征在于，所述方法包括： 在外延生长结束后，采用Cl2循环刻蚀石墨盘的表面的反应生成物，在此过程中，所述Cl2还与反应腔内的MgO和Mg掺杂的GaN反应，破坏所述反应腔内的Mg环境； 在H2气氛富Mg环境下，在所述反应腔内沉积AlxGayIn1-x-yN，以在所述反应腔的内壁以及所述石墨盘的表面形成掺杂Mg的AlxGayIn1-x-yN微结构，重新构建所述反应腔内的Mg环境，其中，0≤x≤1，0≤y≤1。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华灿光电(苏州)有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励