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龙图腾网获悉浙江大学;中国舰船研究设计中心申请的专利异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117275623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311209374.X，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法是由李谭毅;尹文言;郑生全;温定娥;阮兵;谢浩;詹启伟设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法，特别是针对阻变存储器件设计的仿真方法，给出了多物理耦合效应作用下异质集成结构的电‑热信息。该方法通过自由四面体网格对阻变存储器的几何模型进行剖分；再采用导电细丝机制对阻变存储器阻变层中不同金属氧化物材料进行物理建模；最后采用有限元方法对热传导方程、氧空穴输运方程、电流连续性方程进行离散求解，得到阻变存储器内部的温度和载流子浓度场信息，通过电阻定律计算阻变存储器的开关电阻比。本发明的仿真方法具有高置信度、高数值精度、高数值稳定性和可扩展性等优点。可用于高效、高精度数值模拟异质集成结构的多物理效应，进而提高集成电路的性能、稳健性和可靠性。

本发明授权异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法在权利要求书中公布了：1.异质集成结构中多物理耦合过程数值模拟方法，其特征在于，包括如下步骤： 第一步：构建RRAM器件的几何模型，进行四面体网格剖分； 第二步：对剖分后的几何模型确定描述电-热耦合效应物理过程的数学形式，所述物理过程通过电流连续性方程、热传导方程和氧空穴输运方程描述； 第三步：确定求解模型的边界条件；所述的边界条件包括电压边界条件、热对流边界条件、热恒温边界条件、恒定载流子浓度边界，具体为： 电压边界条件： 热对流边界条件： 热恒温边界条件： T＝T0 恒定浓度边界： nD＝n0 其中，为电势分布函数，Ut是边界处的电压值；T为器件的温度，k为热导率，n为垂直于边界的外法向向量，h为器件与空气对流的系数，Text为外面温度，T0边界上恒定的温度；nD为载流子的浓度，n0设置的边界浓度； 第四步：构建阻变存储器阻变层材料参数的物理模型；阻变层材料参数随电场、温度、氧空穴浓度变化，其中氧空穴扩散率满足， 其中，D为载流子的扩散率，D0为氧空穴扩散率常数，Ea是材料的激活能，KB是玻尔兹曼常数；迁移率和扩散率满足爱因斯坦关系： μ为载流子的迁移率，q是空穴所带的电荷量； 电导率表达式为： 其中，EAG为激活能，σ0表示T＝300K时的电导率； 第五步：通过FEM方法对电流连续性方程、热传导方程和氧空穴输运方程进行离散求解； 第六步：对步骤五进行不断迭代求解，直到求解得到的电流连续性方程、热传导方程和氧空穴输运方程解达到收敛条件，获得RRAM电势、温度、氧空穴浓度分布。

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