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龙图腾网获悉福建海梵领航科技有限公司申请的专利一种碳纳米管制备系统及单壁碳纳米管制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117285032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311400098.5，技术领域涉及：C01B32/162；该发明授权一种碳纳米管制备系统及单壁碳纳米管制备工艺是由陈秉辉;胡丹丹;李晓蹊设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳纳米管制备系统及单壁碳纳米管制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳纳米管制备系统及单壁碳纳米管制备工艺，涉及碳纳米管材料制备技术领域。本发明的碳纳米管制备系统包括：液体进样系统、雾化室、压力控制系统、进气口、炉体、收集箱和尾气处理装置；其中，液体进样系统、雾化室、炉体、收集箱、尾气处理装置依次通过管道连通；压力控制系统设置于雾化室外侧；进气口与雾化室连通；雾化室通入炉体的管道末端连接有喇叭口。本发明在上述制备系统基础上可实现碳纳米管的连续生产，提高了产品的质量和稳定性，结合特定制备工艺能够实现高质量单壁碳纳米管的高产量制备。

本发明授权一种碳纳米管制备系统及单壁碳纳米管制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种单壁碳纳米管制备工艺，其特征在于，采用碳纳米管制备系统，所述碳纳米管制备系统包括：液体进样系统、雾化室、压力控制系统、进气口、炉体、收集箱和尾气处理装置； 所述液体进样系统、雾化室、炉体、收集箱、尾气处理装置依次通过管道连通；所述进气口与所述雾化室连通； 所述压力控制系统设置于所述雾化室外侧，用于给通过进气口进入雾化室的载气加压； 所述雾化室通入所述炉体的管道末端连接有喇叭口； 制备工艺包括以下步骤： 设置所述炉体内温度为800-1300℃，通过所述进气口向所述碳纳米管制备系统中通入载气，将反应原料加入所述液体进样系统，并经所述雾化室进行雾化，经所述喇叭口进入所述炉体； 利用所述收集箱收集反应产物，并利用所述尾气处理装置处理尾气； 制备过程中利用所述压力控制系统控制所述雾化室压力为10-100atm； 对出料口炉体与收集箱之间的管路改进，在炉管出口处设置一个管路较长的温度缓冲区域，从而达到使生成的单壁碳纳米管产在温度逐渐降低的条件下进行收集，以便于减小黏附在金属管壁内部的可能性； 所述反应原料为液体碳源、铁盐和硫源的混合溶液；所述载气为氢气和氮气体积比2:1的混合气体； 所述液体碳源包括乙醇、甲苯或环己烷；所述铁盐包括氯化铁、氯化亚铁、乙酸铁、硝酸铁、二茂铁的一种或几种； 所述硫源包括噻吩、乙硫醇、乙硫醚或硫酚。

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