中国人民解放军国防科技大学胡理想获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种激光驱动阿秒电子串产生的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117293645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311295407.7，技术领域涉及：H01S4/00；该发明授权一种激光驱动阿秒电子串产生的方法是由胡理想;余同普;张文昱设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光驱动阿秒电子串产生的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种激光驱动阿秒电子串产生的方法。该方法包括：构建激光驱动阿秒电子串生成系统；在系统中，左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光光源垂直入射于低密度等离子体靶表面；打开左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光光源；通过左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光与低密度等离子体靶相互作用，得到空泡结构；通过空泡结构对电子进行约束，通过左旋圆偏振拉盖尔‑高斯激光推动位于空泡结构前端的电子远离低密度等离子体靶，并得到高密度和低发散角的阿秒电子串。
本发明授权一种激光驱动阿秒电子串产生的方法在权利要求书中公布了：1.一种激光驱动阿秒电子串产生的方法，其特征在于，所述方法包括： 构建激光驱动阿秒电子串生成系统；在所述系统中，左旋圆偏振拉盖尔-高斯激光光源和低密度等离子体靶的位置关系为左旋圆偏振拉盖尔-高斯激光光源垂直入射于低密度等离子体靶表面； 打开左旋圆偏振拉盖尔-高斯激光光源；其中，激光的无量纲参数为a0＝10～30，束腰半径为σ0＝2～4λ0，激光波长为λ0＝0.8～1.06μm，激光脉宽为τ＝2～4T0，其中T0为激光周期； 通过所述左旋圆偏振拉盖尔-高斯激光与低密度等离子体靶相互作用，得到空泡结构；其中，低密度是指密度低于0.5nc，其中nc为等离子体临界密度； 通过所述空泡结构对电子进行约束，通过所述左旋圆偏振拉盖尔-高斯激光推动位于所述空泡结构前端的电子远离所述低密度等离子体靶，并得到高密度和低发散角的阿秒电子串；其中，高密度是指密度大于10nc；低发散角是指发散角小于5°。
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