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龙图腾网获悉重庆吉芯科技有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利高精度可编程电流偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117348656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310916872.1，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权高精度可编程电流偏置电路是由王友华;付东兵;罗永双;董吉;万贤杰;冉波;徐茂佳;李白;范佳淋设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本高精度可编程电流偏置电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种高精度可编程电流偏置电路，所述电路包括参考输入模块、第一输出模块、第二输出模块及负反馈模块，通过参考输入模块产生内部偏置电压，通过第一输出模块产生第一偏置电压，通过第二输出模块产生第二偏置电压，通过负反馈模块的负反馈作用对参考电流进行精确复制，得到第一复制电流，再将第一偏置电压及第二偏置电压分别施加到负载电路，通过负载电路对第一复制电流进行复制，得到第二复制电流；再基于第二输出模块中宽度由可编程控制器输出的数字码调节控制的MOS管调节第一复制电流与参考电流的比例系数，进而得到精度高、可编程调节大小的第二复制电流，能有效消除器件的二阶效应和PVT波动对参考电流复制精度和复制灵活性的影响。

本发明授权高精度可编程电流偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种高精度可编程电流偏置电路，其特征在于，包括： 参考输入模块，接收参考电流并根据所述参考电流产生内部偏置电压； 第一输出模块，与所述参考输入模块连接，接收初始偏置电压及所述内部偏置电压，在所述初始偏置电压及所述内部偏置电压的作用下产生第一偏置电压； 第二输出模块，与所述参考输入模块及所述第一输出模块分别连接，在所述内部偏置电压及所述第一偏置电压的作用下产生第二偏置电压； 负反馈模块，与所述第二输出模块连接，通过负反馈作用对所述参考电流进行复制，在所述第二输出模块上得到第一复制电流，所述第一复制电流与所述参考电流成比例； 其中，所述第一偏置电压及所述第二偏置电压分别施加到负载电路，通过所述负载电路对所述第一复制电流进行复制，得到第二复制电流，所述第二复制电流与所述第一复制电流成比例，所述第一复制电流与所述参考电流的比例系数由可编程控制器输出的数字码调节控制； 所述参考输入模块包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的漏极接所述参考电流，所述第一NMOS管的栅极产生并输出所述内部偏置电压； 所述第一输出模块包括第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻及第二电阻，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极接所述内部偏置电压，所述第二NMOS管的漏极接所述第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的栅极接所述初始偏置电压，所述第一PMOS管的源极接所述第二PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的漏极还经串接的所述第一电阻后接所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的源极经串接的所述第二电阻后接电源电压，所述第二PMOS管的栅极产生并输出所述第一偏置电压； 所述第二输出模块包括第三NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三电阻及第一电容，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极接所述内部偏置电压，所述第三NMOS管的漏极接所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极接所述第一偏置电压，所述第三PMOS管的源极接所述第四PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极还经依次串接的所述第一电容及所述第三电阻后接所述第四PMOS管的栅极，所述第四PMOS管的源极接电源电压，所述第四PMOS管的栅极产生并输出所述第二偏置电压； 所述负反馈模块包括运算放大器，所述运算放大器的同相输入端接所述第三NMOS管的漏极，所述运算放大器的反相输入端接所述第三NMOS管的栅极，所述运算放大器的输出端接所述第四PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极输出所述第一复制电流，所述运算放大器包括第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管及第六PMOS管，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极作为所述运算放大器的同相输入端，所述第四NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极接所述第五PMOS管的漏极，所述第五PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的漏极，所述第五PMOS管的源极接所述电源电压，所述第五NMOS管的源极接地，所述第五NMOS管的栅极作为所述运算放大器的反相输入端，所述第五NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极接所述第六PMOS管的漏极，所述第六PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极接所述电源电压，所述第六PMOS管的漏极作为所述运算放大器的输出端，所述第六PMOS管的漏极接所述第四PMOS管的栅极。

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