买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京大学申请的专利石墨烯-多热点金纳米结构复合体系的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311342708.0，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权石墨烯-多热点金纳米结构复合体系的制备方法及其应用是由邱彩玉;袁洪涛设计研发完成，并于2023-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本石墨烯-多热点金纳米结构复合体系的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种石墨烯‑多热点金纳米结构复合体系的制备方法及其应用。该复合体系利用石墨烯晶格调制作用，在加热石墨烯上直接热蒸镀金属后得到；其中石墨烯具有单原子层厚度，金属纳米结构为具有尖角的几何化结构。所述复合体系可用作表面增强拉曼表征的优秀基底。本发明的制备方法经济高效，对设计构建结构和性能稳定的SERS基底、乃至增强型光电器件都有重要意义。

本发明授权石墨烯-多热点金纳米结构复合体系的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.石墨烯-多热点金属纳米结构复合体系的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，微机械法制备石墨烯薄膜：以天然高定向热解石墨HOPG为原料，采用微机械剥离法制备石墨烯片层，将其置于SiSiO2衬底表面，形成石墨烯薄膜； 步骤2，通过真空镀膜仪在加热石墨烯表面热蒸镀第一层等离子金属，形成几何化形貌特征金属纳米结构：将金属丝放置在陶瓷坩埚内，将附着有石墨烯薄膜的SiSiO2衬底与功率薄膜电阻紧密连接，然后将其与陶瓷坩埚平行放置于真空镀膜仪，并在二者之间设置金属挡板，在压强为10-4Pa的条件下蒸镀，先对薄膜电阻施加电流使附着有石墨烯薄膜的SiSiO2衬底温度保持在80℃～120℃，同时对陶瓷坩埚进行加热使蒸发速率为1.0Ås，然后移开金属挡板开始沉积金属原子，当金属膜厚达到4nm～6nm时，打开挡板，关闭陶瓷坩埚加热，保持真空状态使样品冷却，得到附着有几何化形貌特征金属纳米结构的石墨烯SiSiO2衬底； 所述几何化形貌特征包括三角形、四边形、六边形、八边形和多重孪晶的纳米结构； 步骤3，通过真空镀膜仪常规热蒸镀第二层等离子金属，形成密集金属颗粒：将步骤2得到的衬底保持在室温下再采用常规蒸镀一层密集金属纳米颗粒结构，膜厚为4nm～6nm，得到石墨烯-多热点金纳米结构复合体系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。