上海华力集成电路制造有限公司谢玟茜获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利单片式晶圆湿法刻蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210895538.8，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权单片式晶圆湿法刻蚀装置是由谢玟茜设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片式晶圆湿法刻蚀装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片式晶圆湿法刻蚀装置包括：具有旋转功能的晶圆承载台，刻蚀液喷射装置，设置在晶圆承载台外围的挡板。挡板包括用于对晶圆上甩出的刻蚀液进行减速的防反溅结构。防反溅结构包括：第一竖直板，长度方向和晶圆的表面垂直且内侧面和晶圆具有间距；横向穿过第一竖直板的第一开口，第一开口设置在从晶圆表面甩出的刻蚀液的运动轨迹上。第二横板，第一端固定设置在第一竖直板的外侧面上；第二横板的顶部表面水平且低于等于第一开口的底部表面，从第一开口穿出的刻蚀液在第二横板的顶部表面上流动并减速。本发明能防止甩出的刻蚀液反溅到晶圆上。
本发明授权单片式晶圆湿法刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种单片式晶圆湿法刻蚀装置，其特征在于，包括： 具有旋转功能的晶圆承载台，用于放置晶圆且对所述晶圆进行旋转； 刻蚀液喷射装置，用于将刻蚀液注入到所述晶圆的表面上； 设置在所述晶圆承载台外围的挡板； 所述挡板包括用于对所述晶圆上甩出的所述刻蚀液进行减速的防反溅结构； 所述防反溅结构包括： 第一竖直板，所述第一竖直板的长度方向和所述晶圆的表面垂直，所述第一竖直板的内侧面和所述晶圆具有间距； 横向穿过所述第一竖直板的第一开口，所述第一开口设置在从所述晶圆表面甩出的所述刻蚀液的运动轨迹上，用于使所述刻蚀液从所述第一开口穿过； 第二横板，所述第二横板的第一端固定设置在所述第一竖直板的外侧面上；所述第二横板的顶部表面水平且所述第二横板的顶部表面低于等于所述第一开口的底部表面，从所述第一开口穿出的所述刻蚀液在所述第二横板的顶部表面上流动从而使所述刻蚀液第一次减速。
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