运城学院辛德华获国家专利权
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龙图腾网获悉运城学院申请的专利一种NaBiO3@Bi2O3/g-C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117718037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311707731.5，技术领域涉及：B01J23/18；该发明授权一种NaBiO3@Bi2O3/g-C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用是由辛德华;王敏;石雅宁;朱文垚;张苑群设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NaBiO3@Bi2O3/g-C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种NaBiO3@Bi2O3g‑C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用，所述NaBiO3@Bi2O3g‑C3N4异质结中含氧空位和氮空位缺陷，表现为3D2D的微观形貌，Bi2O3包裹在NaBiO3表面，形成核壳结构；所制备异质结可吸收420‑800nm范围内的可见光，且表现为双S型的电荷转移机制，光生电子‑空穴对具有较高的分离效率和较强的氧化还原能力，且异质结具有良好的结构稳定性。
本发明授权一种NaBiO3@Bi2O3/g-C3N4异质结光催化剂及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种NaBiO3@Bi2O3g-C3N4异质结光催化剂，其特征在于，该催化剂是NaBiO3、Bi2O3和类石墨相g-C3N4三者的复合材料，Bi2O3包裹在NaBiO3表面，形成核壳结构NaBiO3@Bi2O3，NaBiO3@Bi2O3表现为纳米片自组装形成的纳米花形貌；NaBiO3和Bi2O3晶格中均含氧空位缺陷；g-C3N4为纳米片结构，晶格中含氮空位缺陷； 所述NaBiO3@Bi2O3g-C3N4异质结光催化剂的制备方法，包括以下步骤： 步骤1：将NaBiO3粉体溶解在水中，搅拌条件下进行紫外光照射处理，得到悬浊液A； 步骤2：向悬浊液A中加入HNO3溶液，在搅拌条件下进行紫外光照射处理，得到悬浊液B； 步骤3：向悬浊液B中加入g-C3N4粉体，得到悬浊液C；其中，g-C3N4粉体是以尿素为原料，在空气中通过高温热聚合反应制备得到； 步骤4：悬浊液C在搅拌条件下进行紫外光照射处理，所得沉淀物洗涤、干燥，得到NaBiO3@Bi2O3g-C3N4异质结光催化剂。
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