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龙图腾网获悉西安科技大学申请的专利一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117776725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311824644.8，技术领域涉及：C04B35/56；该发明授权一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用是由赵幸;白钰航;吴宇昊;刘佳;赵莹莹;罗欢;杜慧玲;宋岩设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用，属于高熵陶瓷粉体材料技术领域。上述制备方法包括：将金属氧化物粉体和碳粉在酒精介质于空气环境中混合球磨，得到混合粉体浆料；将混合粉体浆料干燥后加入PVA粘结剂，压制为坯体；当环境为真空环境时，将坯体置于真空腔体内部的石墨毡加热元件中，直流电通过真空电极加载于石墨毡加热元件两端，真空条件下激发焦耳热进行焦耳加热，获得单相高熵碳化物陶瓷粉体；或当环境为氩气环境中时，将坯体置于上下设置的两片石墨毡加热元件的中间，从上至下施加直流电，打开电源，氩气被激发形成等离子体产生加热温度，获得单相高熵碳化物陶瓷粉体。

本发明授权一种单相高熵碳化物陶瓷粉体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种单相高熵碳化物陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将金属氧化物粉体和碳粉在酒精介质于空气环境中混合球磨，得到混合粉体浆料； S2：将混合粉体浆料干燥后加入PVA粘结剂，压制为坯体； S3：当环境为真空环境时，将坯体置于真空腔体内部的石墨毡加热元件中，直流电通过真空电极加载于石墨毡加热元件两端，真空条件下激发焦耳热进行焦耳加热，获得单相高熵碳化物陶瓷粉体； 或当环境为氩气环境中时，将坯体置于上下设置的两片石墨毡加热元件的中间，所述石墨毡加热元件的内部由碳纤维组成，调整上下设置的两片石墨毡加热元件的间隙直到相对表面上的碳纤维的绒毛互相接触，并从上至下施加直流电，打开电源，上下设置的两片石墨毡加热元件的相对表面上的碳纤维尖端放电，氩气被激发形成等离子体产生加热温度，获得单相高熵碳化物陶瓷粉体； 其中，S1中，所述金属氧化物粉体由MoO3粉体、WO3粉体、HfO2粉体、Ta2O5粉体、ZrO2粉体、TiO2粉体、Nb2O5粉体、VO2粉体、Cr2O3粉体中的至少四种组成； 所述金属氧化物粉体中的各金属原子的摩尔比相等，所述金属氧化物粉体与碳粉的摩尔比为1：1；所述PVA粘结剂的质量百分比为3~5wt%；所述压制的压力为20~30MPa；所述焦耳加热的工艺参数如下：所述直流电的电压为55V，直流电的电流为50~60A，直流电的功率为2kW~3kW；所述焦耳加热的加热温度为1800℃~2000℃；所述焦耳加热的时间为3~30S；所述焦耳加热的升温曲线为线性、梯形或脉冲形；所述从上至下施加直流电的电流为45A、电压为45V，从上至下施加电流的时间为10S，所述加热温度为6000K~8000K。

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