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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211736871.0，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件是由钱洪途;吴自力;韩啸设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括栅极，位于外延结构远离衬底的一侧；栅极沿第一方向延伸，栅极包括相互连接的第一栅极分部和第二栅极分部；至少一个栅极连接结构，位于栅极远离衬底的一侧；栅极连接结构包括相互连接的第一栅极连接分部和第二栅极连接分部，第二栅极连接分部位于无源区；沿半导体器件的厚度方向，第一栅极连接分部与第一栅极分部至少部分交叠，第二栅极连接分部与第二栅极分部至少部分交叠且第二栅极连接分部与至少部分第二栅极分部电连接。本发明提供的半导体器件，通过栅极连接结构与至少部分栅极电连接，能够降低栅极电阻的影响，提高增益以及提高器件开关速度。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区； 所述半导体器件还包括： 衬底； 外延结构，位于所述衬底的一侧； 栅极，位于所述外延结构远离所述衬底的一侧；所述栅极沿第一方向延伸，所述第一方向与所述衬底所在平面平行；所述栅极包括相互连接的第一栅极分部和第二栅极分部，所述第一栅极分部与所述外延结构形成肖特基接触，所述第二栅极分部位于所述无源区； 至少一个栅极连接结构，位于所述栅极远离所述衬底的一侧；所述栅极连接结构包括相互连接的第一栅极连接分部和第二栅极连接分部，所述第二栅极连接分部位于所述无源区；沿所述半导体器件的厚度方向，所述第一栅极连接分部与所述第一栅极分部至少部分交叠，所述第二栅极连接分部与所述第二栅极分部至少部分交叠且所述第二栅极连接分部与至少部分所述第二栅极分部电连接； 其中，所述栅极连接结构的面积大于所述栅极的面积； 沿所述栅极延伸方向，所述栅极连接结构覆盖所述栅极；其中，栅极连接结构延伸方向与栅极延伸方向一致。

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