昆明物理研究所杨顺虎获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种超大面阵碲镉汞红外探测器下填充工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410745411.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种超大面阵碲镉汞红外探测器下填充工艺方法是由杨顺虎;唐遥;杨小艺;何天应;胡旭;张学斌;王思凡;郭瑞;张萤;刘文奀;杨超伟;徐睿驹设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超大面阵碲镉汞红外探测器下填充工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种超大面阵碲镉汞红外探测器下填充工艺方法，包括：对碲镉汞红外焦平面及读出电路进行清洁；在碲镉汞红外焦平面与读出电路相连的边缘涂胶；把完成涂胶焦平面放到排气台上进行抽真空，并且抽到极限真空后保持真空一段时间，等待第四条边上的胶流均匀后，快速释放排气台的真空，利用压强差使下填充胶流满器件和读出电路之间的间隙；最后，在显微镜下观察，吸去碲镉汞红外探测器焦平面上多余的填充胶后把碲镉汞红外探测器焦平面放在干燥柜中等待固化完成。本发明的下填充时间缩短为原来的四分之一，大大提高了效率，并且不受到有效流通时间和边缘效应等的影响，可以很大程度上降低“空洞现象”出现的概率。
本发明授权一种超大面阵碲镉汞红外探测器下填充工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种超大面阵碲镉汞红外探测器下填充工艺方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1，配制环氧树脂下填充胶，准备一台排气台和一台显微镜； 步骤2，对碲镉汞红外探测器焦平面及对读出电路进行清洁； 步骤3，在碲镉汞红外探测器焦平面与读出电路相连的边缘涂胶，其中的相连的三边的边缘涂满胶，另外一边只在两侧进行涂胶而中间部分不涂胶； 步骤4，把完成步骤3的碲镉汞红外探测器焦平面放到排气台上进行抽真空，并且抽到极限真空后保持真空一段时间，使得所述另外一边上的胶流均匀后进行下一步； 步骤5，完成步骤4后，快速释放排气台的真空，利用压强差使下填充胶流满器件和读出电路之间的间隙； 步骤6，完成步骤5后在显微镜下观察，吸去碲镉汞红外探测器焦平面上多余的填充胶； 步骤7，把完成步骤6的碲镉汞红外探测器焦平面放到干燥柜中进行固化。
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