湖北九峰山实验室李思超获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种光电集成结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118739013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410763622.3，技术领域涉及：H01S5/026；该发明授权一种光电集成结构及其制造方法是由李思超;何俊蕾;沈晓安设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电集成结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种光电集成结构及其制造方法，包括：驱动结构、开关结构和激光结构。驱动结构和开关结构包括依次层叠设置的第一衬底、第一氮化镓层、层间介质和第一绝缘层，驱动结构包括驱动晶体管，开关结构包括开关晶体管。激光结构包括依次层叠设置的砷化镓层、二极管结构以及第一电极层，第一引出结构和砷化镓层或第一电极层电连接，第一引出结构和第一连接结构直接接触，第一连接结构和开关晶体管的源极或开关晶体管的漏极直接接触，其中，第一连接结构包括设置在基板的第一金属层或开关结构和激光结构连接时的金属键合层。本申请通过将驱动结构、开关结构和激光结构集成于一体，缩短了电信号传输距离，降低寄生电感，降低损耗，提高探测精度。
本发明授权一种光电集成结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光电集成结构，其特征在于，所述光电集成结构包括：驱动结构、开关结构和激光结构； 所述驱动结构和所述开关结构包括依次层叠设置的第一衬底、第一氮化镓层、层间介质和第一绝缘层；所述驱动结构包括驱动晶体管，所述开关结构包括开关晶体管，驱动晶体管的源极、开关晶体管的源极以及开关晶体管的漏极至少贯穿所述层间介质以及部分厚度的第一绝缘层，驱动晶体管的源极和开关晶体管的源极电连接； 所述激光结构包括依次层叠设置的砷化镓层、二极管结构以及第一电极层； 第一引出结构和所述砷化镓层或所述第一电极层电连接，所述第一引出结构和第一连接结构直接接触，所述第一连接结构和所述开关晶体管的源极或所述开关晶体管的漏极直接接触； 所述第一连接结构包括设置在基板的第一金属层或所述开关结构和所述激光结构连接时的金属键合层；所述基板用于放置所述驱动结构、所述开关结构和所述激光结构。
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