哈尔滨工业大学任玉坤获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种用于融合的液态金属电极微流控芯片及其制作工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118755570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410947617.8,技术领域涉及:C12M1/42;该发明授权一种用于融合的液态金属电极微流控芯片及其制作工艺是由任玉坤;孟祥宇;陶冶;薛睿;阮庆宇设计研发完成,并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于融合的液态金属电极微流控芯片及其制作工艺在说明书摘要公布了:本发明提出了一种用于融合的大高宽比液态金属电极微流控芯片及其制作工艺,属于微流控技术领域。解决了现有大高宽比的液态金属电极微流控芯片在光刻过程中面临很大挑战的问题。它包括芯片基底和PDMS板,所述PDMS板设置在芯片基底上,所述PDMS板上开设有电极通道和流体通道,所述流体通道包括第一流体通道、第二流体通道和第三流体通道,所述第一流体通道的末端与第二流体通道连通并与第二流体通道形成十字交叉结构,所述第三流体通道的末端与第二流体通道连通并与第二流体通道形成T型交叉结构,所述十字交叉结构设置在T字交叉结构的前端。它主要用于液滴微流体融合技术。
本发明授权一种用于融合的液态金属电极微流控芯片及其制作工艺在权利要求书中公布了:1.一种用于融合的液态金属电极微流控芯片,其特征在于:它包括芯片基底1和PDMS板2,所述PDMS板2设置在芯片基底1上,所述PDMS板2上开设有电极通道3和流体通道4,所述流体通道4包括第一流体通道6、第二流体通道7和第三流体通道8,所述第一流体通道6的末端与第二流体通道7连通并与第二流体通道7形成十字交叉结构,所述第三流体通道8的末端与第二流体通道7连通并与第二流体通道7形成T型交叉结构,所述十字交叉结构设置在T字交叉结构的前端,所述电极通道3包括两个第一电极通道9和两个第二电极通道10,所述两个第一电极通道9对称设置在T型交叉结构的上方两侧,所述两个第二电极通道10对称设置在T型交叉结构的下方两侧,所述两个第一电极通道9的末端和两个第二电极通道10的末端均与T型交叉结构间隔设置,所述第一电极通道9和第二电极通道10内均设置有电极,所述电极的材质为锡铋合金。
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