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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro-LED阵列器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825048B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410895065.0，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro-LED阵列器件及其制备方法是由孙晓娟;朱立财;吕顺鹏;蒋科;贲建伟;张山丽;石芝铭设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro-LED阵列器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro‑LED阵列器件及其制备方法，阵列器件由多个片下倒梯形微反射镜Micro‑LED器件组成，每个Micro‑LED器件包括p型掺杂层、多量子阱层、n型掺杂倒梯形结构、反射电极、n型金属电极衬底、透明导电层、介电层及顶部p电极。本发明得益于片下倒梯形结合表面反射镜结构，能够对光路进行有效改变，实现顶部Micro‑LED光提取效率的提高。相比于倾斜侧壁提高光提取效率的方法，本发明不会使多量子阱层的暴露面积增加，侧壁缺陷能够得到抑制，降低侧壁处电荷耦合效应，从而削弱侧壁处量子限制斯塔克效应，减少空穴向侧壁汇聚，进而降低非辐射复合，使发光性能得到提高。

本发明授权一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro-LED阵列器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高光效的片下倒梯形微反射镜Micro-LED阵列器件，其特征在于，其是由多个分立的片下倒梯形微反射镜Micro-LED器件8组成的阵列器件； 每个所述片下倒梯形微反射镜Micro-LED器件8包括： n型金属电极衬底4，所述n型金属电极衬底4上形成有倒梯形凹槽阵列化图案； 反射电极3，其位于所述n型金属电极衬底4的上侧； 还包括：在所述反射电极3上且远离所述n型金属电极衬底4的一侧顺次设置的： n型掺杂倒梯形结构132、多量子阱层12、p型掺杂层11、透明导电层5； 所述n型掺杂倒梯形结构132、所述多量子阱层12和所述p型掺杂层11组成单个片下倒梯形Micro-LED外延台面16； 介电层6，其位于两个相邻的所述单个片下倒梯形Micro-LED外延台面16之间，且与所述反射电极3相接触； 顶部p电极7，其位于所述透明导电层5和所述介电层6之上； 所述n型掺杂倒梯形结构132和所述反射电极3形成片下倒梯形微反射镜结构，所述n型掺杂倒梯形结构132的空气和氮化物界面光滑平整。

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