上海交通大学邹卫文获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利基于周期性波导结构的硅-铌酸锂电光调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410969884.5，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权基于周期性波导结构的硅-铌酸锂电光调制器及其制备方法是由邹卫文;杨皓如;王静;熊妮娜设计研发完成，并于2024-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于周期性波导结构的硅-铌酸锂电光调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于周期性波导结构的高效率硅‑铌酸锂调制器。该方法无需刻蚀铌酸锂晶圆，通过刻蚀顶层硅薄膜形成中心硅波导和周期性波导从而控制光波传输。本发明在顶层硅波导周围增加周期性波导的方式，增添了新的自由度，用于实现精细调控电光调制器的光场分布，使得光场紧密束缚在硅‑铌酸锂混合波导中。相较传统硅‑铌酸锂调制器，本发明中的周期性调制器光场的横向面积与倏逝波大幅减小，利于降低电极损耗，实现性能优异的高效率电光调制器。
本发明授权基于周期性波导结构的硅-铌酸锂电光调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于周期性波导结构的硅-铌酸锂调制器，其特征在于：硅-铌酸锂晶圆截面自下而上包括硅衬底1、二氧化硅层2、铌酸锂薄膜层3、二氧化硅层2、硅薄膜4；所述的硅衬底1和铌酸锂薄膜层3及铌酸锂薄膜层3和硅薄膜4之间均设有二氧化硅层2作为隔离层，其厚度特征尺寸在0-500nm之间；所述铌酸锂薄膜层3包括纯铌酸锂薄膜及掺铒、掺镱铌酸锂薄膜；在所述硅薄膜4上通过波导刻蚀工艺集成由光输入端到光输出端的为分光区、电光调制区和合光区，所述分光区包括输入光栅5和分光多模干涉仪6；所述电光调制区包括模斑转换器7、马赫曾德尔移相臂8、周期性硅波导结构9、热调移相器10、金属电极13；所述的合光区包括合光多模干涉仪11和输出光栅12；其中，所述输入光栅5、分光多模干涉仪6、马赫曾德尔移相臂8、周期性硅波导结构9、合光多模干涉仪11和输出光栅12构成完整光路，且所述周期性硅波导结构9的周期在调制器传输波长的四分之一波长以下，每个周期的硅波导宽度20在调制波导16以下，该所述周期性硅波导结构9的占空比长度19根据调制器包层的倏逝波光场需求调控可变。
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