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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118939069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411257461.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路是由甘平;张璐;唐枋设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，涉及集成电路技术领域，包括启动电路、带隙核心电路和反馈电路；所述启动电路包括PMOS管：PM3、PM4与PM5、NMOS管：NM1、NM2、NM3与NM4和电阻：R7、R8、R9与R10，所述带隙核心电路包括PMOS管：PM1、PM2，NPN管：Q1、Q2和电阻：R1、R2、R3与R4，所述反馈电路包括PMOS管：PM6、PM7、PM8、PM9与PM10，NMOS管：NM5、NM6、NM7、NM8和电阻：R5与R6。该面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，具有功耗低、精度高和版图面积小的优点，可以为宽输入电压范围LDO提供高精度的基准电压和稳定的低压电源轨。

本发明授权一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种面向宽输入电压范围LDO的高压带隙基准电路，其特征在于：包括启动电路、带隙核心电路和反馈电路；所述启动电路包括PMOS管：PM3、PM4与PM5、NMOS管：NM1、NM2、NM3与NM4和电阻：R7、R8、R9与R10，所述带隙核心电路包括PMOS管：PM1、PM2，NPN管：Q1、Q2和电阻：R1、R2、R3与R4，所述反馈电路包括PMOS管：PM6、PM7、PM8、PM9与PM10，NMOS管：NM5、NM6、NM7、NM8和电阻：R5与R6； 所述NM1与R8电性连接，所述R8与NM2电性连接，所述NM2与R9电性连接，所述R9与PM3电性连接，所述PM8与R7电性连接，所述R7与NM1电性连接，所述PM3与PM4电性连接，所述PM4与PM5电性连接，所述PM5与NM3电性连接，所述NM3与Q3电性连接； 所述PM6与PM4电性连接，所述PM6与PM8电性连接，所述PM8与NM5电性连接，所述NM5与NM7电性连接，所述NM5与NM6电性连接，所述PM6与PM7电性连接，所述PM7与PM9电性连接，所述NM7与NM8电性连接，所述NM8与PM10电性连接，所述PM10与R10电性连接，所述R10与NM4电性连接，所述NM7与VREV电性连接，所述R10与VOI电性连接，所述VOI与VREV之间通过R6电性连接； 所述PM9与R3电性连接，所述R3与PM1电性连接，所述PM1与PM2电性连接，所述PM2与Q2电性连接，所述PM1与Q1电性连接，所述Q1与R1电性连接，所述R1与R2电性连接，所述R2与Q2电性连接，所述PM10与Q2以及PM2电性连接。

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