株式会社东京精密高桥武孝获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东京精密申请的专利晶片卡盘、温度控制系统以及温度控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118946958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380033727.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶片卡盘、温度控制系统以及温度控制方法是由高桥武孝设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片卡盘、温度控制系统以及温度控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供不增加设置的温度传感器的数量就能够测定温度的晶片卡盘、以及能够适当地对晶片卡盘的温度进行控制的温度控制系统及温度控制方法。本发明具备：加热冷却部40，其对晶片卡盘18进行加热或冷却；至少一个温度传感器52，其配置于晶片卡盘18；以及热流传感器54，其配置于晶片卡盘18，将多个热电偶56串联连接，且使彼此相邻的热电偶56的连接部分交替地配置于从保持面18A起的第一深度位置和比第一深度位置深的第二深度位置，热流传感器54具有与各个热电偶56对应地设置的多个测温点60，在对晶片卡盘18进行俯视观察的情况下，多个测温点60在整个晶片卡盘18的范围内配置。
本发明授权晶片卡盘、温度控制系统以及温度控制方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片卡盘，其具有保持晶片的保持面，其中， 所述晶片卡盘具备： 加热冷却部，其对所述晶片卡盘进行加热或冷却； 至少一个温度传感器，其配置于所述晶片卡盘；以及 热流传感器，其配置于所述晶片卡盘，将多个热电偶串联连接，且使彼此相邻的所述热电偶的连接部分交替地配置于从所述保持面起的第一深度位置和比所述第一深度位置深的第二深度位置， 在将所述晶片卡盘中的与所述晶片的发热部分相对应的部分作为对应部分的情况下，所述温度传感器用于对所述对应部分处的所述第二深度位置的温度即基准温度进行检测， 所述热流传感器具有与各个所述热电偶对应地设置的多个测温点，在对所述晶片卡盘进行俯视观察的情况下，所述多个测温点在整个所述晶片卡盘的范围内配置，所述热流传感器用于对所述对应部分处的所述第一深度位置与所述第二深度位置的上下温度差进行检测。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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