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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411050266.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陶然设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，具有第一区和第二区，第一区的衬底上具有第一栅极，第二区的衬底上具有第二栅极；形成第一初始轻掺杂区和第二初始轻掺杂；通过选择生长在第二栅极侧壁形成第一侧墙；对暴露出的第二区的衬底进行掺杂处理以形成第一源漏区和第一轻掺杂漏区；通过选择生长在第一栅极侧壁形成第二侧墙；对暴露出的第一区的衬底进行掺杂处理，形成第二源漏区和第二轻掺杂漏区。通过选择生长的方式形成侧墙后掺杂处理形成轻掺杂漏区，通过调控侧墙厚度、以及调控掺杂处理的注入能量和注入剂量，在不增加光罩成本的同时，得到具有不同尺寸或不同掺杂浓度的第一轻掺杂漏区和第二轻掺杂漏区，为工艺提供更多的调节空间。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有第一区和第二区，所述第一区的衬底上具有第一栅极，所述第二区的衬底上具有第二栅极； 形成第一初始轻掺杂区和第二初始轻掺杂区，所述第一初始轻掺杂区位于第一栅极两侧的衬底内，所述第二初始轻掺杂区位于第二栅极两侧的衬底内； 通过选择性生长的方式在所述第二栅极侧壁形成第一侧墙； 在所述第一区的衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出所述第二区的衬底； 以所述第一掩膜层和侧壁形成有所述第一侧墙的第二栅极为掩膜，对暴露出的所述第二区的衬底进行掺杂处理以形成第一源漏区和第一轻掺杂漏区； 去除所述第一侧墙与所述第一掩膜层； 去除所述第一侧墙与所述第一掩膜层之后，通过选择性生长的方式在所述第一栅极侧壁形成第二侧墙，通过选择性生长的方式形成所述第一侧墙的步骤和通过选择性生长的方式形成所述第二侧墙的步骤中至少一个步骤包括，通过选择性生长的方式形成碳层； 在所述第二区的衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出所述第一区的衬底； 以所述第二掩膜层和侧壁形成有所述第二侧墙的第一栅极为掩膜，对暴露出的所述第一区的衬底进行掺杂处理，形成第二源漏区和第二轻掺杂漏区。

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