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龙图腾网获悉山西第三代半导体技术创新中心有限公司申请的专利碳化硅芯片的场氧化层制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410965797.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权碳化硅芯片的场氧化层制备方法是由邓转龙;冯旭;李晓波;刘文清;张霍设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅芯片的场氧化层制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了碳化硅芯片的场氧化层制备方法，具体涉及碳化硅芯片制备技术领域，包括S1、初步处理，S2、检测识别，S3、晶圆处理，S4、双次校对，S5、去除操作，S6、晶圆检测，S7、清洗与退火，S8、最终检测，通过测量光在氧化硅薄膜表面反射后的偏振状态变化。本发明使用高分辨率的图像采集CCD相机对坚膜后的图形进行拍摄，拍摄获取清晰的图像，图像采集过程中光线充足、包括去噪、增强对比度、边缘检测，从预处理后的图像中提取关键特征：线条宽度、间距、形状，检查是否存在偏差或缺陷，比对分析时，可采用自动比对算法的方式，实现自动检测每一步制备是否合格。

本发明授权碳化硅芯片的场氧化层制备方法在权利要求书中公布了：1.碳化硅芯片的场氧化层制备方法，其特征在于：包括具体步骤如下： S1、初步处理，在氧化硅介质层上旋涂光刻胶，在120-150℃温度下烘烤120-150s后曝光；再在120-150℃温度下烘烤60-80s，再进行显影，坚膜； S2、检测识别，使用高分辨率的图像采集CCD相机对坚膜后的图像进行拍摄，若存在偏差或缺陷，需根据具体情况进行返工； S3、晶圆处理，将晶圆在氧气、氮气和真空的保护环境中，进行扫胶20秒，确保光刻显影区域无光刻胶残留； S4、双次校对，高分辨率的图像采集设备对涂有光刻胶的晶圆进行扫描，获取清晰的图像，图像分析算法双次检测，根据双次检测的结果，判定晶圆是否合格； S5、去除操作，用干法刻蚀工艺刻蚀700-900nm左右厚度的氧化硅，在BOE溶液中浸泡100-120s腐蚀掉剩余厚度的氧化硅； S6、晶圆检测，使用高分辨率的光学显微镜观察晶圆表面5-10次，对比刻蚀前后的图像，检查氧化硅层是否被完全去除，观察氧化硅层的表面形貌，判断是否有残留； S7、清洗与退火，在场氧刻蚀完成后，晶圆需要处理后退火； S8、最终检测，通过测量光在氧化硅薄膜表面反射后的偏振状态变化，精确测定薄膜的厚度，查看是否在设计范围内； 所述S2中拍摄5-10张获取清晰的图像，图像采集过程中光线充足、对焦准确，以减少图像模糊和畸变，对采集到的图像进行预处理，包括去噪、增强对比度、边缘检测，从预处理后的图像中提取关键特征，线条宽度、间距、形状，这些特征应与设计要求一致，将提取出的特征与设计图纸或标准模板进行比对分析，检查是否存在偏差或缺陷，比对分析时，可采用自动比对算法的方式，根据比对分析的结果，判定光刻胶图形是否合格。

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