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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有多层沟道与落差式超结的氮化镓垂直JFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411051783.6，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种具有多层沟道与落差式超结的氮化镓垂直JFET器件是由宋秀峰;李道远;赵胜雷;曹创哲;鲁兴;于龙洋;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有多层沟道与落差式超结的氮化镓垂直JFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有多层沟道与落差式超结的氮化镓垂直JFET器件及其制备方法，该器件包括：N++GaN衬底；位于N++GaN衬底表面的GaN漂移层；位于GaN漂移层表面的超结；位于超结表面的沟道区、第一P+GaN区和第二P+GaN区；分别位于第一P+GaN区、沟道区和第二P+GaN区表面的第一栅极、源极和第二栅极；位于第一栅极与源极以及第二栅极与源极之间的钝化层；位于N++GaN衬底下表面的漏极。超结中落差式N型GaN漂移区的掺杂浓度自下而上递减，落差式P型低掺杂区的掺杂浓度自下而上递增，落差式的超结提升了器件耐压；在沟道区引入超低掺杂使器件的阈值电压显著提升，通过提高沟道区上层的掺杂浓度增大了正向电流，从而获得满足高阈值电压、大正向电流和高耐压的GaN垂直JFET。

本发明授权一种具有多层沟道与落差式超结的氮化镓垂直JFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有多层沟道与落差式超结的氮化镓垂直JFET器件，其特征在于，包括： N++GaN衬底； 位于所述N++GaN衬底一侧表面的GaN漂移层； 位于所述GaN漂移层远离N++GaN衬底一侧表面的超结；所述超结包括落差式N型GaN漂移区与落差式P型低掺杂区，所述落差式N型GaN漂移区的掺杂浓度自下而上递减，所述落差式P型低掺杂区的掺杂浓度自下而上递增； 位于所述超结远离N++GaN衬底一侧表面的沟道区、第一P+GaN区和第二P+GaN区，所述第一P+GaN区与所述第二P+GaN区分别位于沟道区的两侧，并位于所述落差式P型低掺杂区远离所述N++GaN衬底一侧的表面； 分别位于所述第一P+GaN区、所述沟道区和所述第二P+GaN区远离N++GaN衬底一侧表面的第一栅极、源极和第二栅极；所述沟道区包括位于所述落差式N型GaN漂移区远离N++GaN衬底一侧表面的至少一层N--GaN区，以及位于所述源极靠近N++GaN衬底一侧表面的至少一层N++GaN区； 位于所述第一栅极与源极以及第二栅极与源极之间的钝化层； 位于所述N++GaN衬底远离GaN漂移层一侧表面的漏极； 所述沟道区中，N--GaN区与N++GaN区之间至少包括一层N-GaN区； 所述位于落差式N型GaN漂移区远离N++GaN衬底一侧表面的至少一层N--GaN区的掺杂浓度为0.5×1015~1×1017cm-3，所述位于源极靠近N++GaN衬底一侧表面的至少一层N++GaN区的掺杂浓度为1×1018~5×1019cm-3。

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