浙江创芯集成电路有限公司孔孟书获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411140194.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由孔孟书;陶然设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一氧化层；在部分所述第一氧化层的表面形成栅极层；在所述栅极层的侧壁形成侧墙；刻蚀去除所述侧墙两侧的第一氧化层，至暴露出所述衬底的表面；在暴露出的所述衬底的表面形成补偿层，所述补偿层的顶部表面高于所述栅极层的底部表面；对所述侧墙两侧的所述衬底进行源漏掺杂，形成源漏掺杂区；去除高于所述栅极层的底部表面的所述补偿层，由于补偿层的存在，使得侧墙两侧的衬底的表面得到补偿，形成源漏掺杂区后，源漏掺杂区的顶部表面不会低于栅极层的底部表面，从而消除了源漏掺杂区表面凹陷的缺陷，提升了源漏掺杂区的形成质量。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面形成第一氧化层； 在部分所述第一氧化层的表面形成栅极层； 在所述栅极层的侧壁形成侧墙； 刻蚀去除所述侧墙两侧的第一氧化层，至暴露出所述衬底的表面； 在暴露出的所述衬底的表面形成补偿层，所述补偿层的顶部表面高于所述栅极层的底部表面； 对所述侧墙两侧的所述衬底进行源漏掺杂，形成源漏掺杂区； 去除高于所述栅极层的底部表面的所述补偿层；所述补偿层的材料包括硅、硅锗。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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