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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种集成正负不对称栅源ESD保护的沟槽栅MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410544803.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种集成正负不对称栅源ESD保护的沟槽栅MOSFET是由梁世维;王俊设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成正负不对称栅源ESD保护的沟槽栅MOSFET在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成正负不对称栅源ESD保护的沟槽栅MOSFET，包括右下至上顺次设置的漏极、衬底、外延层和源极；形成于外延层表面的若干个第一沟槽和一个第二沟槽，所有所述第一沟槽分布于源极区域内，所述第二沟槽位于栅极压焊区内；所述外延层的表面形成有P阱区、P+区和N+区，所述P阱区位于P+区和N+区的下方，所述P+区和N+区均与源极接触电连。本发明充分利用沟槽栅MOSFET器件结构特点，在器件栅极和源极之间构造出具有不对称击穿电压的n‑polySip‑SiC异质结二极管和p‑SiCn‑SiCPN结二极管，通过将两个稳压二极管串联，简洁高效地实现在栅源电极之间集成形成ESD保护结构，满足SiCMOSFET器件开通和关断驱动保护电压不对称的需求。

本发明授权一种集成正负不对称栅源ESD保护的沟槽栅MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种集成正负不对称栅源ESD保护的沟槽栅MOSFET，其特征在于，包括右下至上顺次设置的漏极1、衬底2、外延层3和源极4； 形成于外延层3表面的若干个第一沟槽31和一个第二沟槽32，所有所述第一沟槽31分布于源极区域内，所述第二沟槽32位于栅极压焊区内； 所述外延层3的表面形成有P阱区51、P+区52和N+区53，所述P阱区51位于P+区52和N+区53的下方，所述P+区52和N+区53均与源极4接触电连； 所述第一沟槽31的底部设置有第一屏蔽层61，所述第一沟槽31设置第一多晶硅栅62，所述第一多晶硅栅62的外侧包覆设置有第一介质层63； 所述第二沟槽32的底部设置有第二屏蔽层71，所述第二沟槽32内设置有第二多晶硅栅72，所述第二多晶硅栅72的外侧包覆设置有第二介质层73； 所述第二多晶硅栅72的底端部分区域贯穿第二介质层73后，与第二屏蔽层71连接；所述第二屏蔽层71上设置有N+注入区74，所述N+注入区74通过第二介质层73与第二多晶硅栅72隔离，所述N+注入区74延伸至源极4且与源极4接触电连； 所述第二多晶硅栅72为n型多晶硅，所述第二屏蔽层71为p型SiC，所述N+注入区74为n型SiC，所述第二多晶硅栅72和第二屏蔽层71构成反向n-polySip-SiC异质结，所述第二屏蔽层71和N+注入区74构成正向p-SiC-SiCPN结。

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