京东方华灿光电(浙江)有限公司路遥获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利巨量转移方法及微型发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410897218.5，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权巨量转移方法及微型发光二极管是由路遥;宋玉华;刘昭宇;张威设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本巨量转移方法及微型发光二极管在说明书摘要公布了：本公开提供了一种巨量转移方法及微型发光二极管，属于半导体制备技术领域。该巨量转移方法，包括：在电路基板的一面制备导电膜层；在导电膜层的背向电路基板的一面涂设光敏胶层，光敏胶层具有光敏自热膨胀特性；通过黄光制程，将光敏胶层图案化，以得到辅助转移薄膜，辅助转移薄膜具有多个容置孔；将辅助转移薄膜与待转移晶圆相对位放置，使得待转移晶圆的晶粒位于对应的容置孔内；通过激光照射辅助转移薄膜，使得辅助转移薄膜受热膨胀，以将晶粒夹持在对应的容置孔内；将辅助转移薄膜与待转移晶圆分离，使得晶粒被剥离，并保留在容置孔内。本公开能够提高巨量转移的良率和效率。
本发明授权巨量转移方法及微型发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括： 在电路基板10的一面制备导电膜层20； 在所述导电膜层20的背向所述电路基板10的一面涂设光敏胶层30，所述光敏胶层30具有光敏自热膨胀特性； 通过黄光制程，将所述光敏胶层30图案化，以得到辅助转移薄膜40，所述辅助转移薄膜40具有多个容置孔410； 将所述辅助转移薄膜40与待转移晶圆100相对位放置，使得所述待转移晶圆100的晶粒200位于对应的所述容置孔410内； 通过激光照射所述辅助转移薄膜40，使得所述辅助转移薄膜40受热膨胀，以将所述晶粒200夹持在对应的所述容置孔410内； 将所述辅助转移薄膜40与所述待转移晶圆100分离，使得所述晶粒200被剥离，并保留在所述容置孔410内。
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