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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种降低EMI的功率VDMOS制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411152653.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种降低EMI的功率VDMOS制造方法是由徐政;廖远宝;洪根深设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低EMI的功率VDMOS制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种降低EMI的功率VDMOS制造方法，属于半导体器件领域。提供硅晶圆材料，在硅晶圆上形成第一导电类型阱区、第四介质氧化层场氧、第二导电类型源端重掺杂区、第一导电类型重掺杂体接触区；通过炉管热氧化，形成第一介质氧化层栅氧；分别进行两次LPCVD淀积多晶，进行高温退火激活杂质，形成栅多晶硅电极；其中，第二次淀积的多晶厚度大于第一次；淀积SiO2，形成第二介质氧化层；等离子体增强化学气相沉积淀积SiN，形成第三介质高K材料；最后依次形成欧姆接触孔、源极和漏极。本发明通过设计器件新结构和工艺新制程，优化器件参数Cgs、Rg，减小功率VDMOS的didt和dvdt，实现EMI噪声优化。

本发明授权一种降低EMI的功率VDMOS制造方法在权利要求书中公布了：1.一种降低EMI的功率VDMOS制造方法，其特征在于，包括： 步骤一：提供硅晶圆材料，硅晶圆材料由下到上依次为n+硅衬底21、n缓冲层22和n-外延层23； 步骤二：在硅晶圆上形成第一导电类型阱区11； 步骤三：淀积SiO，涂覆光刻胶并曝光出图形窗口，湿法腐蚀SiO，去除光刻胶，形成第四介质氧化层场氧34； 步骤四：在第一导电类型阱区11上形成第二导电类型源端重掺杂区24； 步骤五：在第一导电类型阱区11上形成第一导电类型重掺杂体接触区12； 步骤六：炉管热氧化，形成第一介质氧化层栅氧31； 步骤七：分别进行两次LPCVD淀积多晶，进行高温退火激活杂质，涂覆光刻胶并曝光出图形窗口，多晶腐蚀，去除光刻胶，形成栅多晶硅电极41；其中，第二次淀积的多晶厚度大于第一次； 步骤八：等离子体增强化学气相沉积淀积SiO，形成第二介质氧化层32；等离子体增强化学气相沉积淀积SiN，形成第三介质高K材料33； 步骤九：涂覆光刻胶并曝光出图形窗口，干法刻蚀SiN和SiO，去除光刻胶，形成欧姆接触孔；淀积金属，涂覆光刻胶并曝光出图形窗口，实施金属腐蚀、去除光刻胶，形成源极51； 步骤十：减薄硅晶圆，背面溅射金属TiNiAg，形成漏极52。

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