湖北三安光电有限公司卢超获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069599B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411019536.8，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权发光二极管及发光装置是由卢超;涂雄;徐瑾;洪灵愿;王庆;曾江斌设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括外延结构、第二接触电极、绝缘层。外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；多个第二接触电极分布在第二半导体层上方且电连接第二半导体层；绝缘层至少覆盖部分第二接触电极和外延结构；绝缘层包括露出第二接触电极部分表面的第二通孔；第二通孔与第二接触电极边缘之间具有最小距离，最小距离为第一间距；至少存在两个第二接触电极与第二通孔的第一间距不相等。通过该设计能够有效提高发光二极管的EOS能力，避免发光二极管在过电压情况下容易发生结构烧伤而造成发光二极管能力失效的风险。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括： 外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层； 多个第二接触电极，分布在所述第二半导体层上方，且电连接所述第二半导体层； 绝缘层，至少覆盖部分所述第二接触电极和所述外延结构；所述绝缘层包括露出所述第二接触电极部分表面的第二通孔；所述第二通孔与所述第二接触电极边缘之间具有最小距离，所述最小距离为第一间距；至少存在两个所述第二接触电极与所述第二通孔的第一间距不相等；所述第一间距包括第一子间距和第二子间距，所述第一子间距大于所述第二子间距；具有第二子间距的所述第二接触电极相对于具有第一子间距的所述第二接触电极更靠近所述发光二极管的边缘。
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