浙江创芯集成电路有限公司王爽获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411281913.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及形成方法是由王爽;许凯;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构在沟道方向上的宽度大于所述第二栅极结构在所述沟道方向上的宽度；在所述第一栅极结构的侧壁形成第一偏移侧墙层，所述第一偏移侧墙层包括第一氧化层；在所述第二栅极结构的侧壁形成第二偏移侧墙层，所述第二偏移侧墙层包括第二氧化层，所述第一氧化层的厚度与所述第二氧化层的厚度不同；由于氧化层中的分凝效应主要影响偏移侧墙层下方的沟道表面，因此通过第一氧化层和第二氧化层的厚度不同，区别化调整第一栅极结构和第二栅极结构底部氧化增强扩散的程度，从而提升相应沟道的阈值电压，具有较广泛的适用范围。
本发明授权半导体结构及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构在沟道方向上的宽度大于所述第二栅极结构在所述沟道方向上的宽度； 在所述第一栅极结构的侧壁形成第一偏移侧墙层，所述第一偏移侧墙层包括第一氧化层，在所述第一栅极结构的侧壁形成所述第一氧化层； 在所述第二栅极结构的侧壁形成第二偏移侧墙层，所述第二偏移侧墙层包括第二氧化层，在所述第二栅极结构的侧壁形成所述第二氧化层，所述第一氧化层的厚度与所述第二氧化层的厚度不同，所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度。
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