浙江创芯集成电路有限公司耿志圣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411280864.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其形成方法是由耿志圣设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底包括漂移区；位于漂移区内的隔离结构，隔离结构包括至少1个第一分部和至少1个第二分部，第二分部沿第一方向上的尺寸小于第一分部沿第一方向上的尺寸，第一分部与第二分部沿第二方向交替排列，第一分部与第二分部相邻接，第二方向平行基底的表面，第一方向为基底顶部表面指向基底底部表面的方向。当电子从源极流出，一部分电子不需要沿着第一分部的侧壁表面向下移动到第一分部的底部再流向漏极，而是沿着第二分部的侧壁表面移动到第二分部的底部再流向漏极，沿着第二分部流出的电子的流通路径相较于沿着第一分部流出的电子的流通路径更短，使得器件的特征导通电阻减小。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括漂移区； 位于所述漂移区内的隔离结构，所述隔离结构包括沿第二方向的至少2个第一分部和至少1个第二分部，所述第二分部沿第一方向上的尺寸小于所述第一分部沿第一方向上的尺寸，所述第一分部与所述第二分部沿第二方向交替排列，所述第一分部与所述第二分部相邻接，所述第二方向平行所述基底的表面，所述第一方向为基底顶部表面指向基底底部表面的方向。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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