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龙图腾网获悉华北电力大学申请的专利面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411397237.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法是由齐磊;沈弘;夏宇翔;邵佳逸;东野忠昊;张翔宇设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法在说明书摘要公布了：一种面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法，包括充电回路、实验回路和放电回路。其中，实验回路设有待实验半导体器件，待实验半导体器件处安装有电信号检测装置，且并联有换流阀子模块模拟模块和实验放电模块。换流阀子模块模拟模块的容性器件分别与充电回路和放电回路并联；实验放电模块充电回路和放电回路并联。本发明通过实验拓扑，搭建有效的实验装置，通过对应的实验方法可以在半导体器件的两端产生等效VFTO波形的电压波形，便于研究不同半导体器件在VFTO工况下的器件特性，解决了工程应用对实验的需求，整体结构简单、成本低，且便于搭建。

本发明授权面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种面向半导体器件受VFTO侵扰的等效实验装置，其特征在于，包括充电回路、实验回路和放电回路； 所述充电回路设有第一充电回路和第二充电回路；所述第一充电回路设有第一直流电源和第一充电开关；所述第二充电回路设有第二直流电源和第二充电开关； 所述实验回路设有待实验半导体器件，所述待实验半导体器件处安装有电信号检测装置；所述待实验半导体器件并联有换流阀子模块模拟模块；所述待实验半导体器件还并联有实验放电模块； 所述放电回路设有第一放电回路和第二放电回路；所述第一放电回路设有第一放电负载和第一放电开关；所述第二放电回路设有第二放电负载和第二放电开关； 所述换流阀子模块模拟模块的容性器件分别与所述第一充电回路和所述第一放电回路并联； 所述实验放电模块设有放电电容和充电电容，所述放电电容与所述充电电容连接；所述放电电容与所述实验回路连接；所述充电电容分别与所述第二充电回路和所述第二放电回路并联； 所述充电电容串接有维持电阻，并与所述放电电容组成回路； 所述放电电容与所述待实验半导体器件并联； 所述实验回路上设有隔离开关。

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