南京大学毛成获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种单光子雪崩二极管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411452563.4，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种单光子雪崩二极管器件是由毛成;余航;孔祥顺;闫锋设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单光子雪崩二极管器件在说明书摘要公布了：一种单光子雪崩二极管器件，包括N型扩散层、P型扩散层，P型外延层、P型衬底、环形P阱区域、深槽隔离区域DTI环、雪崩放大区，所述的深槽隔离区域DTI环底部设置P型衬底，深槽隔离区域DTI环与P型衬底之间的区域设置P型外延层，P型外延层顶部设置P型扩散层，P型扩散层的顶部设置N型扩散层，P型扩散层与N型扩散层的连接处设置雪崩放大区。本发明结构中的环形P阱区域不用连接到最底部的衬底上，极大降低了工艺难度；本发明第一P端与N端之间直接形成贯穿型反应结结构，耗尽区扩大，可提高器件探测效率；本发明第一P端、第二P端之间可通过电压调控实现光电导，为反应结收集更多的光电子，可进一步提高器件探测效率。
本发明授权一种单光子雪崩二极管器件在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管器件，其特征在于：包括N型扩散层、P型扩散层，P型外延层、P型衬底、环形P阱区域、深槽隔离区域DTI环、雪崩放大区，所述的深槽隔离区域DTI环底部设置P型衬底，所述的深槽隔离区域DTI环与P型衬底之间的区域设置P型外延层，所述的P型外延层顶部设置P型扩散层，所述的P型扩散层的顶部设置N型扩散层，所述的P型扩散层与N型扩散层的连接处设置雪崩放大区，所述的深槽隔离区域DTI环上部内侧设置环形P阱区域，所述的环形P阱区域设置在P型外延层的上部外侧，所述的N型扩散层能与N端连接，所述的N型扩散层能与N端连接，所述的P型外延层能直接或间接与P端连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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