西安交通大学丁向东获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利增材制造难熔合金动态自增强位错组态调控方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119368763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703832.X，技术领域涉及：B22F10/64；该发明授权增材制造难熔合金动态自增强位错组态调控方法及应用是由丁向东;陈研;龙洪伟;孙军;马恩设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本增材制造难熔合金动态自增强位错组态调控方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增材制造难熔合金动态自增强位错组态调控方法及应用，采用选区激光熔化方法对Ta‑10W合金粉进行激光打印成型，得到具备凝固胞结构与高位错密度的增材制造难熔合金；真空度条件下对增材制造难熔合金在0.35～0.55Tm的熔点下进行短时中温去应力退火，得到凝固胞与不可动位错相耦合的动态自增强位错组态的难熔合金。本发明采用热处理对增材制造难熔合金材料中复杂随机的位错组态进行重新排列，将其调控成围绕凝固胞壁分布不可动位错，其室温及超高温强度显著提升，实现了位错胞结构动态自增强，提高了难熔合金室温及超高温强度，并实现超高温应变硬化。在冶金及航空航天等极端服役环境下具有广泛的应用前景。
本发明授权增材制造难熔合金动态自增强位错组态调控方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种增材制造难熔合金动态自增强位错组态调控方法，其特征在于，包括： 采用选区激光熔化方法对Ta-10W合金粉进行激光打印成型，激光打印扫描速度为400-700mms，能量密度为220-260Jmm3；得到具备凝固胞结构与高位错密度的增材制造难熔合金； Ta-10W合金粉采用以下质量比的原料： 碳:0.01～0.05%,氮:0.02～0.08%，氧:0.16～0.2%,钨:9.5—10.5%，余量为钽； 在真空度条件下，将激光打印成型得到高位错密度的增材制造难熔合金在0.35～0.55Tm的熔点下，在升温速率为8～12℃min，升温至Ta-10W合金熔点3035℃的35～55%下进行短时中温去应力退火，退火温度为1200～1500℃，退火时间为1～2小时，降温后得到凝固胞与不可动位错相耦合的动态自增强位错组态的难熔合金。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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