南京大学贾小氢获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119374730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411623631.9，技术领域涉及：G01J5/10；该发明授权一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法是由贾小氢;者翊君;石洪恺;徐韬;涂学凑;康琳;陈健;吴培亨设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法，采用氧化硅硅双层衬底；通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜；通过紫外曝光双层光刻胶绘制外部电极，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift‑off剥离制备出电极；通过电子束曝光绘制平面螺旋天线图形，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift‑off剥离，制备出天线；通过电子束曝光定义微桥图形，通过反应离子刻蚀把微桥的图形转移到氮化铌薄膜之上；在衬底硅面通过紫外曝光定义需要刻蚀的区域，通过FSE深硅刻蚀机蚀刻掉硅，制备悬浮桥结构。本发明在提高工作温度至9K的同时保证了灵敏度性仍在pwHz12量级。
本发明授权一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导氮化铌热电子测辐射热计制备方法，其特征在于，采用氧化硅以及硅构成的双层衬底，制备包括如下步骤： 通过射频磁控溅射在衬底氧化硅面上生长出六氮五铌薄膜作为缓冲层，直流磁控溅射生长氮化铌薄膜； 在氮化铌薄膜上通过紫外曝光LOR10B和AZ1500双层光刻胶的方式绘制外部电极的图形，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift-off的方式剥离制备出电极； 通过电子束曝光PMMAA4电子束胶的方式绘制平面螺旋天线图形，磁控溅射生长钛薄膜和金薄膜，利用lift-off的方式剥离，制备出天线； 通过电子束曝光HSQ电子束胶的方法定义微桥图形，通过反应离子刻蚀的方式把微桥的图形转移到氮化铌薄膜之上； 在衬底硅面通过紫外曝光AZ4620光刻胶的方式定义需要刻蚀的区域，通过FSE深硅刻蚀机蚀刻掉硅，制备悬浮桥结构。
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