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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利位线电压传输电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119380788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411230789.X，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权位线电压传输电路是由刘东阳设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本位线电压传输电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种位线电压传输电路，IO节点和位线间的传输门的第一NMOS管和PMOS管的栅极电压分别连接第一和第二控制信号，第一PMOS管的衬垫电极连接第三控制信号。第一至第三控制信号分别为电源电压、第一负压和第一正压时传输门导通。第一正压大于等于IO电压且小于电源电压，第一正压由正压信号产生电路提供。正压信号产生电路包括：第二、第三NMOS管和第二PMOS管。第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的漏极都连接到第一节点。第二NMOS管的源极和第三NMOS管的栅极都连接到第二节点，第二节点作为第一正压的输出端。第三NMOS管的源极连接第二PMOS管的源极，第二PMOS管的漏极接地。第一节点和电源电压之间形成有第一上拉电路。第一上拉电路和第二PMOS管都由第一使能信号控制。

本发明授权位线电压传输电路在权利要求书中公布了：1.一种位线电压传输电路，其特征在于，包括：传输门； 所述传输门连接在IO节点和选定位线之间； 所述传输门包括第一NMOS管和第一PMOS管； 所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的源极连接所述IO节点； 所述第一NMOS管的源极和所述第一PMOS管的漏极连接所述选定位线； 所述第一NMOS管的栅极连接第一控制信号，所述第一PMOS管的栅极连接第二控制信号，所述第一PMOS管的衬垫电极连接第三控制信号； 所述第一控制信号为电源电压，所述第二控制信号为第一负压，所述第三控制信号为第一正压时，所述传输门处于导通状态，所述IO节点的IO电压传输到所述选定位线上形成位线电压； 所述第一正压大于等于所述IO节点的IO电压且所述第一正压小于所述电源电压，所述第一正压由正压信号产生电路提供； 所述第一负压小于等于所述IO电压的最小值和所述第一PMOS管的第一阈值电压的绝对值的差； 所述正压信号产生电路包括：第二NMOS管、第三NMOS管和第二PMOS管； 所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极都连接到第一节点； 所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极都连接到第二节点，所述第二节点作为所述第一正压的输出端； 所述第三NMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极接地； 所述第一节点和所述电源电压之间形成有第一上拉电路； 所述第一上拉电路的第一控制端和所述第二PMOS管的栅极都连接第一使能信号； 所述第二NMOS管和所述第三NMOS管形成所述第一节点和所述第二节点的电压之间的第一负反馈回路并使所述第一正压稳定； 所述第一使能信号为低电平时，所述第一上拉电路和所述第二PMOS管都导通；所述第二PMOS管和所述第三NMOS管的串联结构使所述第一正压稳定在所述电源电压和第二阈值电压的差以及所述第二阈值电压和第三阈值电压的绝对值的和之间，所述第二阈值电压为所述第二NMOS管的阈值电压，所述第三阈值电压为所述第二PMOS管的阈值电压，所述第三NMOS管的阈值电压等于所述第二NMOS管的阈值电压。

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