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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种背接触电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384100B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411411616.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种背接触电池和光伏组件是由汝小宁;薛朝伟;袁陨来;葛熙;曲铭浩设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以通过掺杂层对第一区域和交叠区域进行场钝化，并且掺杂层能够形成与第一掺杂硅层诱导方向一致的有利电场，提高第一掺杂硅层对载流子的收集效率。背接触电池包括半导体基底、隧穿钝化层、第一掺杂硅层、本征硅层、第二掺杂硅层和掺杂层。隧穿钝化层和第一掺杂硅层依次层叠设置在第一区域和交叠区域上。本征硅层和第二掺杂硅层依次层叠设置在第二区域上，且还延伸覆盖至位于交叠区域的隧穿钝化层和第一掺杂硅层上。掺杂层设置在半导体基底的第一区域和交叠区域内。掺杂层内与第一掺杂硅层导电类型相同的第一掺杂元素的掺杂浓度，大于半导体基底的第二区域内的第一掺杂元素的掺杂浓度。

本发明授权一种背接触电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一面和第二面；所述第一面包括交替间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的交叠区域； 沿所述半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在所述第一区域和所述交叠区域上的隧穿钝化层和第一掺杂硅层； 沿所述半导体基底的厚度方向，依次层叠设置在所述第二区域上的本征硅层和第二掺杂硅层；层叠设置的所述本征硅层和第二掺杂硅层还由所述第二区域延伸覆盖至位于所述交叠区域的所述隧穿钝化层和所述第一掺杂硅层上；所述第二掺杂硅层的导电类型和所述第一掺杂硅层的导电类型相反；所述第二掺杂硅层包括第二掺杂元素； 设置在所述半导体基底的所述第一区域和所述交叠区域内的掺杂层；所述掺杂层内与所述第一掺杂硅层导电类型相同的第一掺杂元素的掺杂浓度，大于所述半导体基底的所述第二区域内的所述第一掺杂元素的掺杂浓度；所述第一掺杂硅层内的所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述掺杂层内的所述第一掺杂元素的掺杂浓度； 所述第一掺杂硅层和所述掺杂层的导电类型均与所述半导体基底的导电类型相同，所述半导体基底的所述第二区域内不具有所述第二掺杂元素；或者，所述半导体基底的导电类型与所述第二掺杂硅层的导电类型相同，沿所述第一面至所述第二面的方向，所述半导体基底的第二区域的各部分内与所述第二掺杂硅层导电类型相同的第二掺杂元素的掺杂浓度相同。

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