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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利扩大金属栅层研磨窗口的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546912.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权扩大金属栅层研磨窗口的方法是由却玉蓉;张健;李虎设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本扩大金属栅层研磨窗口的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种扩大金属栅层研磨窗口的方法，提供衬底，在衬底上的长、短沟道器件区上形成有长度不同的伪栅结构，形成覆盖伪栅结构的刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成预设厚度的第一层间介质层，之后在第一层间介质层上形成覆盖伪栅结构的第二层间介质层，使得部分伪栅结构之间较窄的间隙中仅填充有第一层间介质层，部分伪栅结构之间较宽的间隙中填充有第一、二层间介质层，第二层间介质层相对于第一层间介质层的研磨速率更慢；研磨第一、二层间介质层至伪栅多晶硅层上；去除伪栅多晶硅层形成凹槽，形成填充凹槽的金属栅层，研磨金属栅层至所需高度。本发明减少了第二层间介质层研磨后的碟形缺陷程度，避免了之后工艺窗口过小的问题。

本发明授权扩大金属栅层研磨窗口的方法在权利要求书中公布了：1.一种扩大金属栅层研磨窗口的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上的长、短沟道器件区上形成有长度不同的伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅多晶硅层以及位于所述伪栅多晶硅层上的侧墙结构，形成覆盖所述伪栅结构的刻蚀停止层； 步骤二、在所述刻蚀停止层上形成预设厚度的第一层间介质层，所述第一层间介质层为利用亚大气压化学气相淀积形成的氧化层，之后在所述第一层间介质层上形成覆盖所述伪栅结构的第二层间介质层，所述第二层间介质层为利用等离子增强化学气相淀积形成的氧化层，使得部分所述伪栅结构之间较窄的间隙中仅填充有所述第一层间介质层，部分所述伪栅结构之间较宽的间隙中填充有所述第一、二层间介质层，所述第二层间介质层相对于所述第一层间介质层的研磨速率更慢； 步骤三、研磨所述第一、二层间介质层至所述伪栅多晶硅层上； 步骤四、去除所述伪栅多晶硅层形成凹槽，形成填充所述凹槽的金属栅层，研磨所述金属栅层至所需高度。

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