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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411231900.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件是由于明哲;邓小玉;魏艳敏;陈月清;孙召清;王永涛;唐喜颜;吴华;方亮;徐希翔设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请公开一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，其中太阳能电池包括：半导体基底，半导体基底具有相对的第一面和第二面；第一半导体层，设置于第一面上，第一半导体层包括第一部分以及沿着第二方向紧邻第一部分的第二部分，第一部分的晶化程度大于第二部分的晶化程度，第一半导体层包括非晶硅、纳米晶硅、微晶硅中的至少一种。通过在第一半导体层上设置合理的晶化区域和非晶化区区域，利用第一部分较高的晶化程度使得太阳能电池整体的电池效率得到优化，提高了电池效率，同时利用第二部分较低的晶化程度，保证了第二部分的钝化效果，防止漏电。

本发明授权一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底具有相对的第一面和第二面； 第一半导体层，设置于所述第一面上，所述第一半导体层的导电类型为N型或P型，所述第一半导体层包括第一部分以及沿着第二方向紧邻所述第一部分的第二部分，所述第一部分的晶化程度大于所述第二部分的晶化程度，所述第一半导体层包括非晶硅、纳米晶硅、微晶硅中的至少一种； 第二半导体层，设置于所述第一面上，所述第一半导体层与所述第二半导体层沿第二方向相邻布置，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型不同；且沿第二方向，相较于所述第一部分，所述第二部分更靠近所述第二半导体层；所述第二半导体层具有靠近所述第一半导体层的邻接侧面； 其中，沿所述第二方向，所述第二部分从所述第一部分边缘延伸至靠近所述邻接侧面，但不接触所述邻接侧面；或者，所述第二部分从所述第一部分边缘延伸至所述邻接侧面，且与所述邻接侧面接触；沿所述第二方向，所述第一部分的边缘距离所述邻接侧面的距离大于等于20μm； 所述第二部分沿第二方向上的宽度小于或等于500μm，大于等于20μm。

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