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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利一种多参数SCH-QW半导体激光器电路模型及其构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119443009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310983778.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种多参数SCH-QW半导体激光器电路模型及其构建方法是由陈少强;陈宇豪;张靖;曹伏毅;翁国恩;胡小波设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多参数SCH-QW半导体激光器电路模型及其构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多参数SCH‑QW半导体激光器电路模型。所述电路模型包括本征网络等效电路部分及封装寄生网络电路部分；所述本征网络等效电路部分包括SCH区，Gateway区，量子阱QW区及受激辐射区；所述SCH区通过双极扩散和载流子释放的方式与Gateway区进行载流子的交换；所述量子阱QW区具有量子阱结构，通过捕获和热激发进行载流子的交换；所述Gateway区作为SCH区和QW区交换载流子的门户；所述封装寄生网络电路部分包括金线、集总部分、衬底；所述金线包括电感LB、电阻RB、电容CB，所述集总部分包括集总电容CS、集总电阻RS，所述衬底包括基板电阻RSUB。本发明还公开了上述电路模型的构建方法以及在饱和非线性效应参数、ABC系数对模型输出的影响的模拟和仿真中的应用。

本发明授权一种多参数SCH-QW半导体激光器电路模型及其构建方法在权利要求书中公布了：1.一种多参数SCH-QW半导体激光器电路模型的构建方法，其特征在于，所述电路模型基于量子阱效应、封装特性和增益非线性特性构建，包括本征网络等效电路部分及封装寄生网络电路部分的构建； 所述本征网络等效电路部分包括SCH区，Gateway区，量子阱QW区及受激辐射区； 所述Gateway区与SCH区和或量子阱QW区之间分别设置有SCH区与Gateway区交换区域和或Gateway区与QW区交换区域，SCH区与Gateway区交换区域用于表示SCH区域中的载流子扩散到Gateway区域以及从Gateway区域返回SCH区域的动态输运过程，Gateway区与QW区交换区域用于表示Gateway区域中载流子被QW区域捕获以及QW区中载流子激发到Gateway区的动态输运过程； 所述SCH区通过双极扩散和载流子释放的方式与Gateway区进行载流子的交换； 所述量子阱QW区具有量子阱结构，通过捕获和热激发进行载流子的交换； 所述Gateway区作为SCH区和QW区交换载流子的门户； 所述受激辐射区能够通过受激辐射和或自发辐射产生光子，发射激光； 本征网络等效电路部分基于半导体激光器三级速率方程构建，所述三级速率方程包括SCH区、Gateway区、量子阱QW区的载流子浓度速率方程和一个光子浓度速率方程；其中， SCH区载流子浓度速率方程： Gateway区载流子浓度速率方程： 量子阱区载流子浓度速率方程： 光子浓度速率方程： 其中，nit为外部注入对SCH载流子的贡献；nS、nG和nQ分别表示SCH区、Gateway区和QW区的载流子浓度；S为光子密度；Γ为光限制因子，表示光功率中在有源层内传播部分的比率；υg为群速度；εS为光子密度相关的增益压缩因子，描述增益随光子密度的增加而被压缩；τP为光子寿命，与腔内损耗有关；τD为输运时间常数，用来描述载流子从SCH通过双极扩散到Gateway的过程；τG为载流子在通道状态的寿命；τC为双极捕获时间常数，用来描述载流子从Gateway传输到QW的过程；τnS为SCH区载流子寿命；τESC为载流子逃逸时间；τnG为Gateway区载流子寿命；τnQ为QW区载流子寿命；β为自发辐射耦合因子，表示载流子自发辐射耦合进激射模中的比率；gnQ为载流子相关的材料增益； 在载流子相关的材料增益gnQ中增加了饱和增益系数gs进行改进，改进后的gnQ为非线性表示，表达式如下： 其中，g0为微分增益，nQ为QW区的载流子浓度，n0为透明载流子浓度，gs为激光器处于饱和状态时的光增益系数； 所述封装寄生网络电路部分包括金线、集总部分、衬底；所述金线包括电感LB、电阻RB、电容CB，所述集总部分包括集总电容CS、集总电阻RS，所述衬底包括基板电阻RSUB； 所述封装寄生网络电路部分的构建中包括三组参数： 1金线寄生参数：金线呈现阻性所引入的串联金线电阻RB，金线呈现感性所引入的串联金线电感LB以及金线与芯片接触时引入的并联金线电容CB； 2集总寄生参数：表示顶部金属电镀层到脊外衬底的并联集总电容CS以及由接触、脊条、电镀层贡献的串联集总电阻RS； 3基板寄生参数：基板引入的与CS串联的基板电阻RSUB。

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