南京大学周峰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411671631.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法是由周峰;邹灿;陆海;徐尉宗;周东;任芳芳设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaNHEMT及其制造方法，属于半导体技术领域，包括自下而上设置的衬底层和氮化镓层，氮化镓层上表面的有源区自下而上依次设置有有源区氮化镓层、势垒层、第一介质层和第二介质层，第二介质层上方表面设有条状的栅极金属层；在栅极金属层中设有多个不同深度的刻蚀孔，不同深度的刻蚀孔中设有不同的肖特基金属层，其中刻蚀孔较深的肖特基金属层与栅极金属层互联，刻蚀孔较浅的肖特基金属层均在栅极金属层上方相连接，不仅使因辐照感生界面态电荷能通过较浅刻蚀孔中肖特基金属层抽取出晶体管，还能使在栅极积累的载流子通过较深刻蚀孔中的肖特基金属层流出，提升了器件的抗辐照能力与可靠性。
本发明授权一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaN HEMT及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高阈值电压稳定性的抗辐照耗尽型GaNHEMT，其特征在于，包括自下而上设置的衬底层1和氮化镓层2，所述氮化镓层2上表面的有源区自下而上依次设置有有源区氮化镓层2、势垒层3、第一介质层4和第二介质层5，所述第二介质层5上方表面设有多个条状的栅极金属层8，栅极金属层8与位于其正下方的第一介质层4和第二介质层5组成MIS型GaNHEMT的栅极； 所述栅极金属层8沿其长度方向排布有多个第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔内设有肖特基金属层；所述肖特基金属层包括第一肖特基金属层9和第二肖特基金属层10；所述第一肖特基金属层9底部与势垒层3接触，侧壁与第一介质层4和第二介质层5接触，顶部与栅极金属层8互联；所述第二肖特基金属层10的底部与第一介质层4顶部接触，顶部与肖特基金属互联层16接触。
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