哈尔滨工业大学郭政佑获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119469451B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411628664.2，技术领域涉及：G01K7/16；该发明授权一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法是由郭政佑;杨强;刘中正;侯朴;师湫航;潘鑫;严强;孟松鹤;李金平设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法，属于温度传感器技术领域，所述薄膜温度传感器具有半导体特性；所述薄膜温度传感器包括SiBCN陶瓷和填料。本发明提供的薄膜温度传感器致密度高、表面质量好，与基体结合能力强，不易脱落，在0～800℃范围内均具有明显半导体特性，可满足高温工况下不同材质的平面、曲面、异形结构的工件表面的温度场测量需求。
本发明授权一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜温度传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： S1.将聚硼硅氮烷、填料和有机溶剂混合，得到薄膜浆料； S2.将所述薄膜浆料喷涂在预热处理后的基板上，经固化、裂解，得到薄膜温度传感器； 以所述聚硼硅氮烷和填料的总质量计，所述聚硼硅氮烷占50~70wt%，所述填料占30~50wt%； 所述有机溶剂占所述聚硼硅氮烷和填料的总质量的40~60%； 所述填料为活性填料，包括Al、B、Cr、W、Nb、Mo、Si、Ti、V、CrSi2、MoSi2、TiSi2、TiB2中的至少一种； 所述有机溶剂为二甲苯； 所述预热处理的温度为80~100℃； 所述固化在流动的氩气气氛下进行，固化温度为300~400℃； 所述裂解在流动的氩气气氛下进行，裂解温度为1000~1200℃。
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