上海华虹宏力半导体制造有限公司郑书红获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利改善深沟槽侧壁氧化物厚度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510035.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权改善深沟槽侧壁氧化物厚度的方法是由郑书红;王乐平设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善深沟槽侧壁氧化物厚度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善深沟槽侧壁氧化物厚度的方法，提供衬底，在衬底上形成外延层，在外延层上依次形成垫氧化层、刻蚀停止层、多晶硅层和硬掩膜层；在硬掩膜层上形成光刻胶层，调整曝光的焦距打开光刻胶层以定义出深沟槽的形成位置，利用刻蚀打开裸露的硬掩膜层形成开口图形，开口图形的侧壁为倾斜形貌，其剖面为上宽下窄的梯形形状；利用刻蚀形成深沟槽，去除剩余的光刻胶层；利用热氧化的方法在多晶硅层和深沟槽的侧壁上形成热氧化层，其中多晶硅层侧壁处的热氧化层为凸出的形貌；刻蚀热氧化层使其保留在深沟槽的侧壁；利用淀积、研磨的方法形成填充剩余深沟槽的填充层。本发明能够改善深沟槽侧壁上的氧化层厚度。
本发明授权改善深沟槽侧壁氧化物厚度的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善深沟槽侧壁氧化物厚度的方法，其特征在于，包括： 步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上依次形成垫氧化层、刻蚀停止层、多晶硅层和硬掩膜层； 步骤二、在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，调整曝光的焦距打开所述光刻胶层以定义出深沟槽的形成位置，利用刻蚀打开裸露的所述硬掩膜层形成开口图形，所述开口图形的侧壁为倾斜形貌，其剖面为上宽下窄的梯形形状； 步骤三、利用刻蚀形成深沟槽，去除剩余的所述光刻胶层； 步骤四、利用热氧化的方法在所述多晶硅层和所述深沟槽的侧壁上形成热氧化层，其中所述多晶硅层侧壁处的所述热氧化层为凸出的形貌； 步骤五、刻蚀所述热氧化层使其保留在所述深沟槽的侧壁，凸出的所述热氧化层用于保护所述深沟槽顶部侧壁上的所述热氧化层； 步骤六、利用淀积、研磨的方法形成填充剩余所述深沟槽的填充层。
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