福建省福联集成电路有限公司李明海获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省福联集成电路有限公司申请的专利一种Y栅晶体管中Y型金属结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411600904.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种Y栅晶体管中Y型金属结构的制造方法是由李明海;林家纶;陈一鸣;吴宜杰;林彦龙;康鑫鸿;钟振辉设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Y栅晶体管中Y型金属结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种Y栅晶体管中Y型金属结构的制造方法，包括以下步骤：1基片上涂布第一层光阻，进行第一次开图；2在第一次开图线槽上端两侧进行第二次开图；3利用升温对第一次开图线槽和第二次开图线槽的上边缘进行Reflow；4涂布第二层光阻，利用I‑line或电子束进行第三次开图；5基片进行酸蚀刻；6进行金属蒸镀沉积，形成Y栅晶体金属结构。本发明的开图线槽宽度大，形成的Y栅晶体金属结构的底部不容易产生裂纹，良品率高；通过控制第二次开图线槽的形状和大小，能更好的调整Y型金属结构的下底形貌；升温的目标温度Tg，使光阻钝化形变只发生在电子束开图区域，提高整体Gate均一性。
本发明授权一种Y栅晶体管中Y型金属结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种Y栅晶体管中Y型金属结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤： 1在半导体器件的基片上涂布第一层光阻，利用电子束在基片上的第一层光阻进行第一次开图，形成第一次开图线槽，第一次开图线槽的高度为从第一层光阻的上表面到基片的上表面； 2利用电子束对第一次开图线槽上端两侧的第一层光阻进行第二次开图，形成两个第二次开图线槽，第二次开图线槽的高低小于第一次开图线槽； 3利用升温对第一次开图线槽和第二次开图线槽的上边缘进行Reflow，使第一次开图线槽和第二次开图线槽合并为开图线槽，升温温度为第一层光阻玻璃化转变温度Tg-5℃； 4在第一层光阻上涂布第二层光阻，利用I-line或电子束在第二层光阻上进行第三次开图，形成第三次开图线槽，第三次开图线槽位于开图线槽上方； 5对开图线槽底部的基片进行酸蚀刻； 6进行金属蒸镀沉积，在开图线槽和第三次开图线槽内形成Y栅晶体金属结构。
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