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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利耦合腔半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119496037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578174.6，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权耦合腔半导体激光器是由董重;张振宁;黄永箴;肖金龙;杨跃德设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本耦合腔半导体激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种耦合腔半导体激光器，涉及光纤通信和半导体激光器技术领域。耦合腔半导体激光器，包括：回音壁微腔，用于输出回音壁基模；法布里‑珀罗腔，法布里‑珀罗腔的第一端与回音壁微腔连接；其中，法布里‑珀罗腔的谐振模式与回音壁基模耦合，从法布里‑珀罗腔的第二端输出耦合模式的光束。

本发明授权耦合腔半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种耦合腔半导体激光器，其特征在于，包括： 回音壁微腔，用于输出回音壁基模； 法布里-珀罗腔，所述法布里-珀罗腔的第一端与所述回音壁微腔连接； 其中，所述法布里-珀罗腔的谐振模式与所述回音壁基模耦合，从所述法布里-珀罗腔的第二端输出耦合模式的光束；通过回音壁微腔输出具有高品质因子的回音壁基模与法布里-珀罗腔的谐振模式进行耦合，进而输出具有高Q值的耦合模式，极大地提高了激光器的抗反馈能力和综合输出性能； 光束沿着所述回音壁微腔传输至所述法布里-珀罗腔，所述回音壁微腔的横截面是六边形结构，可以简化横截面为正方形时微腔中模式杂乱的反射谱包络，使得微腔的两组相邻纵模中间只有基模和一组高阶模式包络，具有相对较高的模式反射率，并且使得微腔内模式更加纯净，所述六边形结构中的一组平行对边与所述六边形结构中的第一对角线平行，所述一组平行对边的长度m为： 其中，n为第一对角线的长度，所述第一对角线与光束在所述法布里-珀罗腔传输的方向平行； 所述回音壁微腔包括： 矩形孔洞，设置于所述回音壁微腔上高阶模式分布强度较高的位置，用于抑制所述回音壁微腔的高阶模式； 所述矩形孔洞的一组对边与光束在所述法布里-珀罗腔传输的方向垂直，所述一组对边中远离所述法布里-珀罗腔的一边与经过所述六边形结构的中心点的直线的距离p为：0.4m≤p≤0.6m，其中，所述直线与所述第一对角线垂直； 所述矩形孔洞的一组对边的长度v为：0.4d≤v≤2d；所述矩形孔洞的另一组对边的长度w为：v≤w≤3v，其中，d为法布里-珀罗腔的宽度。

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