寒序科技(北京)有限公司骆嘉木获国家专利权
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龙图腾网获悉寒序科技(北京)有限公司申请的专利非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411562243.4，技术领域涉及：G11C11/411；该发明授权非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统是由骆嘉木设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种非易失存储‑SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统，所述非易失存储‑SRAM数据转移单元包括；以矩阵形式排列的M*N个非易失存储存储单元、SRAM存储单元以及处于所述以矩阵形式排列的M*N个非易失存储存储单元与所述SRAM存储单元之间的多路复用单元；所述M*N个非易失存储存储单元通过所述多路复用单元复用所述SRAM存储单元；其中，M和N均为正整数。
本发明授权非易失存储-SRAM数据转移单元、异质集成存储系统及芯片系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失存储-SRAM数据转移单元，其特征在于，所述非易失存储-SRAM数据转移单元包括； 以矩阵形式排列的M*N个非易失存储存储单元、SRAM存储单元以及处于所述以矩阵形式排列的M*N个非易失存储存储单元与所述SRAM存储单元之间的多路复用单元； 所述M*N个非易失存储存储单元通过所述多路复用单元复用所述SRAM存储单元； 其中，M和N均为正整数； 使用MOS管实现所述SRAM存储单元，所述MOS管的第一金属层与第二金属层用于实现所述SRAM存储单元； 所述第二金属层上方的金属层用于布置数据总线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人寒序科技(北京)有限公司，其通讯地址为：100000 北京市海淀区中关村大街11号10层1048；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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