武汉新芯集成电路股份有限公司龚风丛获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利一种存储器件的制造方法及存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311044576.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种存储器件的制造方法及存储器件是由龚风丛;曹开玮设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器件的制造方法及存储器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基体，包括衬底、衬底上的硬掩膜层；从硬掩膜层在衬底的有源区开设多个第一凹槽，一部分位于存储区域，另一部分位于引出区域，第一凹槽在衬底中的部分定义为基体凹槽；在基体凹槽的底部形成栅绝缘层和半浮栅；半浮栅的一部分与衬底接触，另一部分与衬底之间通过栅绝缘层隔离；在第一凹槽中分别形成栅间介质层和第一栅极层，在存储区域的第一凹槽中形成存储单元的控制栅，在引出区域的第一凹槽中形成存储单元的引出线，即本申请使得引出区域可以与外界接触，解决埋栅电阻大而带来的压降问题。
本发明授权一种存储器件的制造方法及存储器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体基材，所述半导体基材包括衬底、和所述衬底上的硬掩膜层； 从所述硬掩膜层在所述衬底的有源区开设多个第一凹槽，所述多个第一凹槽一部分位于存储区域，一部分位于引出区域，其中，所述第一凹槽在所述衬底中的部分定义为基体凹槽； 在所述基体凹槽的底部形成栅绝缘层和半浮栅，所述半浮栅的一部分与所述衬底接触，另一部分与所述衬底之间通过所述栅绝缘层隔离； 在所述多个第一凹槽中分别形成栅间介质层和第一栅极层，移除所述存储区域的第一凹槽中的部分第一栅极层形成存储单元的控制栅，其中，所述控制栅高度不高于所述基体凹槽的高度，保留所述引出区域的第一凹槽中的第一栅极层作为所述存储单元的引出线，所述引出线连接同一行的多个所述存储单元的所述控制栅。
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