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龙图腾网获悉东莞市中晶半导体科技有限公司申请的专利降低缺陷密度的半导体结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703597.6，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权降低缺陷密度的半导体结构及制作方法是由李阳;李永设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低缺陷密度的半导体结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低缺陷密度的半导体结构及制作方法，包括：在衬底上生长BNO缓冲层；在BNO缓冲层上依次生长BxAl1－xNO的第一过渡层和GaxAl1－xN的第二过渡层；生长第一过渡层时，x数值从1到0逐渐缩小的同时生长温度从第一温度到第二温度逐渐增加；生长第二过渡层时，x数值从0到1逐渐增加的同时生长温度从第二温度到第三温度逐渐降低，第二温度大于第一温度和第三温度；在第二过渡层上生长外延层形成半导体结构。本发明在衬底和外延层之间设置BNO缓冲层、BxAl1－xNO的第一过渡层和第二过渡层，BxAl1－xNO的第一过渡层和GaxAl1－xN的第二过渡层中Al的浓度先逐渐增加再逐渐减少以进行线性变化，有效减少缺陷密度。

本发明授权降低缺陷密度的半导体结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种降低缺陷密度的半导体结构的制作方法，其特征在于：包括： 提供衬底； 在所述衬底上生长BNO缓冲层； 在所述BNO缓冲层上依次生长BxAl1-xNO的第一过渡层和GaxAl1-xN的第二过渡层；生长第一过渡层时，B的反应材料的流量从预设M浓度逐渐降低到0，AL的反应材料的流量从0逐渐增加到M，以使x数值从1到0逐渐缩小，第一过渡层从下至上B的浓度逐渐降低，Al的浓度逐渐增大，第一过渡层从BNO材料逐渐过渡到BAlNO材料再逐渐过渡到AlNO材料；生长第二过渡层时，AL的反应材料的流量从预设M浓度逐渐降低到0，Ga的反应材料的流量从0逐渐增加到M，以使x数值从0到1逐渐增加，所述第二过渡层从下至上Al的浓度逐渐降低，Ga的浓度逐渐增大，第二过渡层从AlN材料逐渐过渡到GaAlN材料再逐渐过渡到GaN材料； 在所述第二过渡层上生长外延层形成半导体结构；其中， 生长第一过渡层时生长温度从第一温度逐渐增加到第二温度；生长第二过渡层时生长温度从第二温度逐渐降低到第三温度，第二温度大于第一温度和第三温度。

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