重庆康佳光电科技有限公司赵世雄获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电科技有限公司申请的专利一种垂直芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311078318.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种垂直芯片及其制作方法是由赵世雄;马非凡;戴广超;赵永周;陈德伪设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提出了一种垂直芯片及其制作方法，其中，该方法包括：提供一外延片基板，外延片基板包括基板，以及依次层叠在基板上的金属键合层和外延层；对外延层图案化处理，以在金属键合层上形成多个独立的LED外延；沉积第一钝化层，使第一钝化层至少将LED外延的侧壁包覆，并使得相邻的LED外延之间过道上的金属键合层暴露；对过道上暴露的金属键合层进行蚀刻，使得蚀刻的金属回沾于第一钝化层上形成光隔离层；沉积第二钝化层，使第二钝化层包覆光隔离层。本申请通过蚀刻过道上暴露的金属键合层，使得蚀刻的金属沾于第一钝化层上并环绕于LED外延的侧壁，用以形成光隔离，节省了光隔离的制作流程以及光隔离材料，极大地降低了芯片制作成本。
本发明授权一种垂直芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供一外延片基板，所述外延片基板包括基板，以及依次层叠在所述基板上的金属键合层和外延层； 对所述外延层图案化处理，以在所述金属键合层上形成多个独立的LED外延； 沉积第一钝化层，使所述第一钝化层至少将所述LED外延的侧壁包覆，并使得相邻的所述LED外延之间过道上的金属键合层暴露； 对所述过道上暴露的所述金属键合层进行蚀刻，使得蚀刻的金属回沾于所述第一钝化层上形成光隔离层； 沉积第二钝化层，使所述第二钝化层包覆所述光隔离层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆康佳光电科技有限公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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